VIII Inch P Type Silicon Wafer

VIII Inch P Type Silicon laganum Featured Image

Brevis descriptio:

Introducendis premium-gradum 8 Inch P Type Silicon Wafer, insigne excellentiae ex VET Energy. Hoc laganum eximium, laganum P-typum dopingem, adamussim machinatum est ad summa signa qualitatis et effectus.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

8 Inch P Type Silicon Wafer ab VET Energy est summus effectus laganum pii laganum pro amplis applicationibus semiconductoris destinatum, inter cellulas solares, MEMS cogitationes et circuitus integrales. Nota propter excellentem electricae conductivity et constantis observantiae, hoc laganum est satius electio pro artifices spectantes ad componentes electronicos certos et efficaces producendos. VET Energy certas dopingentes gradus efficit et summus qualitas superficialis finis ad optimalem fabricam fabricandam.

Hae 8 Inch P Typus laganae Silicon plene compatiuntur cum variis materiis sicut Substratum SiC, SOI Wafer, SiN Substratum, et aptae sunt ad incrementum Epi Wafer, versatilem pro processibus fabricandis semiconductoribus provectis. lagana etiam in coniunctione cum aliis materiis technicis uti Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer possunt, easque specimen applicationum electronicarum generationis proximo reddens. Consilium robustum etiam compagem in systemata Cassette fundatum convenit, ut efficientem et altum volumen tractantem efficiat.

VET Energy praebet clientes cum solutionibus lagani nativus. lagana cum diversis resistivity, oxygeni contento, crassitudine etc. Insuper etiam technicae artis auxilium praebemus et post-venditionem servitii ad auxilium clientium solvendum varias difficultates in processu producendo offendit.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Azymum Edge	Beveling

AEQUOR TERMINUS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Superficiem Conclusio	Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Ora Chips	Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm)
Indents	nemo licet
Scalpit (Si-Fac)	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri			Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri
Cracks	nemo licet
Ore exclusio	3mm