12 Inch SOI Wafer

Brevis descriptio:

Usus innovationis sicut nunquam antea cum statu-of-the-artis 12 Inch SOI Wafer, miraculum technologicum a VET Energy tibi superbe attulit. Faciendae ad amussim et peritiam, hoc Silicon-On-Insulator laganum signa industriae minuit, ac qualitatem et effectum singularis offert.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

VET Energy 12-inch SOI laganum est summus effectus semiconductoris materiae subiectae, quae valde favet suis excellentibus electricis proprietatibus et unica structura. VET Energy utitur processibus faciendis laganum SOI progressum, ut laganum venas lacus infimas habeat, magna celeritate et radiorum resistentia, solido fundamento praebens in circuitu tuo summus perficientur.

VET Energy productum linea non limitatur ad SOI lagana. Amplis etiam praebemus materias subiectas semiconductores, inclusas Si Wafer, SiC Substratum, SiN Substratum, Epi Wafer, etc., nec non novas fasciculos semiconductores latioris materiae sicut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Hae productorum applicationes occurrere possunt necessitatibus diversis clientium in potentia electronicorum, RF, sensoriorum et aliorum agrorum.

Positus in excellentia, lagana nostra SOI etiam utuntur materiis provectis ut gallium oxydatum Ga2O3, reta et lagana AlN ad fidem et efficaciam in omni gradu operationali curandi. Fiducia VET Energy ad solutiones ora incidendi, quae viam sternunt ad progressionem technologicam.

Emitte potentiam propositi tui cum superiori observantia VET Energy 12-inch SOI uncta. Boost facultates tuas innovationis cum laganis quae qualitatem, praecisionem et innovationem involvunt, fundamentum pro successu ponendo in dynamico campo technologiae semiconductoris. Elige VET Energy pro solutionibus premium SOI laganum exspectationum quae excedunt.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Azymum Edge	Beveling

AEQUOR TERMINUS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Superficiem Conclusio	Duplex latus Polonica Optical, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Ora Chips	Nulli licet (longitudo et width≥0.5mm)
Indents	nemo licet
Scalpit (Si-Fac)	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo laganum diametrum	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo laganum diametrum			Qty.≤5, Cumulativo Longitudo laganum diametrum
Cracks	nemo licet
Ore exclusio	3mm