VET Energy productum linea non limitatur ad GaN in uncta SiC. Praebuimus etiam amplis materiae semiconductoris subiectae, incluso Si Wafer, SiC Substratae, SOI Wafer, SiN Substratae, Epi Wafer, etc. Addimus etiam activo modo enucleare novas materias latas bandgap semiconductores, ut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN. Wafer, ut obviam futurae virtutis electronicae industriae postulatum altioribus inceptis perficiendis.
VET Energy operas cussas flexibiles praebet, et stratas epitaxiales diversarum crassitudinum, varias dopingendi rationes, et varias lagani magnitudinum secundum specificas clientium necessitates dare potest. Insuper etiam technicae artis subsidia praebemus ac post-ventiones operas ad auxilium clientium celeriter summus perficientur potentiae electronic cogitationes explicamus.
WAFERING SPECIFICATIONS
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
| Item | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Azymum Edge | Beveling | ||||
AEQUOR TERMINUS
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
| Item | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Superficiem Conclusio | Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP | ||||
| SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Ora Chips | Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm) | ||||
| Indents | nemo licet | ||||
| Scalpit (Si-Fac) | Qty.≤5, Cumulativo | Qty.≤5, Cumulativo | Qty.≤5, Cumulativo | ||
| Cracks | nemo licet | ||||
| Ore exclusio | 3mm | ||||
