Princeps Puritas 8 Inch Silicon Wafer

Alta Puritas 8 Inch Silicon Wafer Featured Image

Brevis descriptio:

VET Energia castitatis summus 8-unciae laganae pii sunt specimen electionis pro fabricandis semiconductoribus. Utens technologiae provectae, hae laganae qualitatem cristallinam et planitiam superficiei optimam habent, easque aptas ad varias machinas microelectronicas fabricandas efficiunt.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

VET Energy lagana silicon-8 inch late in potentia electronicis, sensoriis, circulis et aliis campis integratis adhibentur. Ut dux in semiconductore industriae commendamur, ut summus qualitas Si Wafer producta provideat ut nostris clientibus necessitatibus crescentibus occurrat.

Praeter Si Wafer, VET Energy etiam amplis materiae semiconductoris substratae, incluso SiC Substratae, SOI Wafer, SiN Substratae, Epi Wafer, etc. Nostra producta linea etiam novas fasciculos semiconductores latos obtegit ut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN. Wafer validum subsidium evolutionis potentiae electronicae generationis proximae praebens.

VET Energy apparatum productionem provexit et ratio qualitatis completae administrationis est ut singula signa strictae industriae laganum occurrant. Producti nostri non solum proprietates electricas optimas habent, sed etiam vires mechanicas et scelerisque stabilitatem bonam habent.

VET Energy praebet clientes cum solutionibus lagani nativus, incluso lagana diversarum quantitatum, specierum et concentuum dopingium. Insuper etiam technicae artis auxilium praebemus ac post-venditionem servitutis ad auxilium clientium solvendum varias difficultates in processu producendo offendit.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Azymum Edge	Beveling

AEQUOR TERMINUS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Superficiem Conclusio	Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Ora Chips	Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm)
Indents	nemo licet
Scalpit (Si-Fac)	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri			Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri
Cracks	nemo licet
Ore exclusio	3mm