Monocrystallinus 8 Unciae Silicon Wafer de VET Energy est solutio industriae plumbeae pro semiconductore et electronic fabrica fabricatione. Offerentes puritatem et structuram crystallinam superiorem, hae lagana optimae sunt applicationes ad altum perficiendi in utroque industriarum photovoltaico et semiconductore. VET Energy efficit ut omne laganum ad summa signa adamussim discursum sit, praestantem aequabilitatem et superficies lenis perficiendi, quae necessaria sunt ad productionem machinae electronic provectae.
Hae Monocrystallinae 8 Unciae laganae Silicon compatiuntur cum materiarum amplitudine, inter Si Wafer, SiC Substratum, SOI Wafer, SiN Substratum, et apprime aptae ad incrementum Epi Wafer. Superiores scelerisque conductivity et electricum proprietates earum certam electionem faciunt ad summus efficientiae fabricandae. Praeterea haec lagana ad compagem cum materiis qualitatibus Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer laborantibus ordinantur, amplis applicationibus e viribus electronicis ad RF machinas offerentes. lagana etiam in cassato systemata alti voluminis, ambitus productionis automated perfecte conveniunt.
VET Energy productum linea non limitatur ad lagana Pii. Amplis etiam praebemus materias subiectas semiconductores, inclusas SiC Substratum, SOI Wafer, SiN Substratum, Epi Wafer, etc., necnon novas fasciculos semiconductores latioris materiae sicut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Hae productorum applicationes occurrere possunt variis clientibus in potentia electronicorum, frequentia radiophonica, sensoriis et aliis campis.
VET Energy praebet clientes cum solutionibus lagani nativus. lagana cum diversis resistivity, oxygeni contento, crassitudine etc. Insuper etiam technicae artis auxilium praebemus et post-venditionem servitii ad auxilium clientium solvendum varias difficultates in processu producendo offendit.
WAFERING SPECIFICATIONS
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Azymum Edge | Beveling |
AEQUOR TERMINUS
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Superficiem Conclusio | Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Ora Chips | Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm) | ||||
Indents | nemo licet | ||||
Scalpit (Si-Fac) | Qty.≤5, Cumulativo | Qty.≤5, Cumulativo | Qty.≤5, Cumulativo | ||
Cracks | nemo licet | ||||
Ore exclusio | 3mm |