SiC ಲೇಪಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹಾಫ್ಮೂನ್ ಭಾಗis a ಕೀಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ SiC ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಉಪಕರಣಗಳಿಗೆ ಬಳಸುವ ಘಟಕ.ಅರ್ಧಚಂದ್ರನ ಭಾಗವನ್ನು ಮಾಡಲು ನಾವು ನಮ್ಮ ಪೇಟೆಂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತೇವೆಅತ್ಯಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ,ಒಳ್ಳೆಯದುಲೇಪನಏಕರೂಪತೆಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಸೇವಾ ಜೀವನ, ಹಾಗೆಯೇಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು.
VET ಎನರ್ಜಿ ಆಗಿದೆ ದಿCVD ಲೇಪನದೊಂದಿಗೆ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ನಿಜವಾದ ತಯಾರಕ,ಪೂರೈಕೆ ಮಾಡಬಹುದುವಿವಿಧಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಉದ್ಯಮಕ್ಕಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಭಾಗಗಳು. Oನಿಮ್ಮ ತಾಂತ್ರಿಕ ತಂಡವು ಉನ್ನತ ದೇಶೀಯ ಸಂಶೋಧನಾ ಸಂಸ್ಥೆಗಳಿಂದ ಬಂದಿದೆ, ಹೆಚ್ಚು ವೃತ್ತಿಪರ ವಸ್ತು ಪರಿಹಾರಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದುನಿಮಗಾಗಿ.
ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ನಾವು ಸುಧಾರಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸುತ್ತೇವೆ,ಮತ್ತುವಿಶೇಷವಾದ ಪೇಟೆಂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ರೂಪಿಸಿದ್ದಾರೆ, ಇದು ಲೇಪನ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ನಡುವಿನ ಬಂಧವನ್ನು ಬಿಗಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬೇರ್ಪಡುವಿಕೆಗೆ ಕಡಿಮೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತದೆ.
Fನಮ್ಮ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ತಿನಿಸುಗಳು:
1. 1700 ವರೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ℃.
2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ ಮತ್ತುಉಷ್ಣ ಏಕರೂಪತೆ
3. ಅತ್ಯುತ್ತಮ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ, ಉಪ್ಪು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕಗಳು.
4. ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಮೇಲ್ಮೈ, ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಕಣಗಳು.
5. ಸುದೀರ್ಘ ಸೇವಾ ಜೀವನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಬಾಳಿಕೆ ಬರುವ
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ಯ ಮೂಲ ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳುಲೇಪನ | |
| 性质 / ಆಸ್ತಿ | 典型数值 / ವಿಶಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯ |
| 晶体结构 / ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | FCC β ಹಂತ多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / ಸಾಂದ್ರತೆ | 3.21 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³ |
| 硬度 / ಗಡಸುತನ | 2500 维氏硬度 (500g ಲೋಡ್) |
| 晶粒大小 / ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ | 2~10μm |
| 纯度 / ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ | 99.99995% |
| 热容 / ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ | 640 J·kg-1·ಕೆ-1 |
| 升华温度 / ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ಫ್ಲೆಕ್ಸುರಲ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ | 415 MPa RT 4-ಪಾಯಿಂಟ್ |
| 杨氏模量 / ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ | 430 Gpa 4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃ |
| 导热系数 / ಥರ್ಮಾಎಲ್ವಾಹಕತೆ | 300W·m-1·ಕೆ-1 |
| 热膨胀系数 / ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ನಮ್ಮ ಕಾರ್ಖಾನೆಗೆ ಭೇಟಿ ನೀಡಲು ನಿಮ್ಮನ್ನು ಹೃತ್ಪೂರ್ವಕವಾಗಿ ಸ್ವಾಗತಿಸಿ, ಮತ್ತಷ್ಟು ಚರ್ಚೆ ಮಾಡೋಣ!
