CVD-SiCಲೇಪನವು ಸ್ಥಿರವಾದ ಭೌತಿಕ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಏಕರೂಪದ ರಚನೆ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ವಸ್ತು, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಆಮ್ಲ ಮತ್ತು ಕ್ಷಾರ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಸ್ತುಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ 400C ನಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಗೊಳ್ಳಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ ಪುಡಿಯ ನಷ್ಟವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಬಾಹ್ಯ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ನಿರ್ವಾತ ಕೋಣೆಗಳಿಗೆ ಪರಿಸರ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಪರಿಸರದ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.

ಆದಾಗ್ಯೂ, SiC ಲೇಪನವು 1600 ಡಿಗ್ರಿಗಳಲ್ಲಿ ಭೌತಿಕ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು, ಇದನ್ನು ಆಧುನಿಕ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಅರೆವಾಹಕ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿಯು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್, ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಿವಿಡಿ ವಿಧಾನದಿಂದ SiC ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಇಂಗಾಲ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೊಂದಿರುವ ವಿಶೇಷ ಅನಿಲಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ SiC ಅಣುಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುತ್ತವೆ, ಲೇಪಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಠೇವಣಿ ಇರಿಸಲಾದ ಅಣುಗಳು, SIC ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುವುದು. ರಚನೆಯಾದ SIC ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬೇಸ್ಗೆ ದೃಢವಾಗಿ ಬಂಧಿತವಾಗಿದೆ, ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬೇಸ್ಗೆ ವಿಶೇಷ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ನ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್, ಸರಂಧ್ರತೆ-ಮುಕ್ತ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧ, ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕ ಮತ್ತು ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು:

1. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ:

ತಾಪಮಾನವು 1600 ಸಿ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಇನ್ನೂ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ: ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಕ್ಲೋರಿನೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.

3. ಸವೆತ ಪ್ರತಿರೋಧ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಮೇಲ್ಮೈ, ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಕಣಗಳು.

4. ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ, ಉಪ್ಪು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕಗಳು.

CVD-SIC ಕೋಟಿಂಗ್‌ಗಳ ಮುಖ್ಯ ವಿಶೇಷಣಗಳು: