SiC Coated Graphite Halfmoon Partis a គន្លឹះសមាសធាតុដែលប្រើក្នុងដំណើរការផលិត semiconductor ជាពិសេសសម្រាប់ឧបករណ៍ SiC epitaxial ។យើងប្រើបច្ចេកវិទ្យាដែលមានប៉ាតង់របស់យើងដើម្បីធ្វើឱ្យពាក់កណ្តាលព្រះច័ន្ទជាផ្នែកមួយជាមួយភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ណាស់,ល្អថ្នាំកូតឯកសណ្ឋាននិងជីវិតសេវាកម្មដ៏ល្អក៏ដូចជាធន់នឹងសារធាតុគីមីខ្ពស់ និងលក្ខណៈសម្បត្តិស្ថេរភាពកម្ដៅ។
ថាមពល VET គឺ នេះ។ក្រុមហ៊ុនផលិតពិតប្រាកដនៃផលិតផល graphite និង silicon carbide ផ្ទាល់ខ្លួនជាមួយនឹងថ្នាំកូត CVD,អាចផ្គត់ផ្គង់ផ្សេងៗគ្រឿងបន្លាស់តាមតម្រូវការសម្រាប់ឧស្សាហកម្ម semiconductor និង photovoltaic ។ Oក្រុមបច្ចេកទេសរបស់អ្នកមកពីស្ថាប័នស្រាវជ្រាវក្នុងស្រុកកំពូលអាចផ្តល់នូវដំណោះស្រាយសម្ភារៈដែលមានជំនាញវិជ្ជាជីវៈបន្ថែមទៀតសម្រាប់អ្នក។
យើងបន្តអភិវឌ្ឍដំណើរការកម្រិតខ្ពស់ ដើម្បីផ្តល់នូវសម្ភារៈទំនើបៗបន្ថែមទៀត។និងបានធ្វើការចេញនូវបច្ចេកវិជ្ជាដែលមានប៉ាតង់ផ្តាច់មុខ ដែលអាចធ្វើឱ្យទំនាក់ទំនងរវាងថ្នាំកូត និងស្រទាប់ខាងក្រោមកាន់តែតឹង ហើយងាយនឹងបំបែកចេញ។
Fអាហារនៃផលិតផលរបស់យើង៖
1. ភាពធន់ទ្រាំអុកស៊ីតកម្មសីតុណ្ហភាពខ្ពស់រហូតដល់ 1700℃.
2. ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់និងឯកសណ្ឋានកម្ដៅ
3. ធន់នឹងច្រេះល្អ៖ អាស៊ីត អាល់កាឡាំង អំបិល និងសារធាតុសរីរាង្គ។
4. ភាពរឹងខ្ពស់ ផ្ទៃបង្រួម ភាគល្អិតល្អ។
5. អាយុកាលសេវាកម្មយូរជាង និងប្រើប្រាស់បានយូរជាងមុន
| CVD SiC薄膜基本物理性能 លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តមូលដ្ឋាននៃ CVD SiCថ្នាំកូត | |
| 性质 / ទ្រព្យសម្បត្តិ | 典型数值 / តម្លៃធម្មតា។ |
| 晶体结构 / រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ | ដំណាក់កាល FCC β多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / ដង់ស៊ីតេ | 3.21 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ 3 |
| 硬度 / រឹង | 2500 维氏硬度 (ផ្ទុក 500 ក្រាម) |
| 晶粒大小 / គ្រាប់ធញ្ញជាតិ SiZe | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / ភាពបរិសុទ្ធគីមី | 99.99995% |
| 热内 / សមត្ថភាពកំដៅ | 640 J · គីឡូក្រាម-1· ខេ-1 |
| 升华温度 / សីតុណ្ហភាព Sublimation | ២៧០០ អង្សាសេ |
| 抗弯强度 / កម្លាំងបត់បែន | 415 MPa RT 4 ចំណុច |
| 杨氏模量 / ម៉ូឌុលរបស់ Young | 430 Gpa 4pt ពត់, 1300 ℃ |
| 导热系数 / កម្តៅលីត្រចរន្តអគ្គិសនី | ៣០០ វ៉-1· ខេ-1 |
| 热膨胀系数 / ការពង្រីកកំដៅ (CTE) | ៤.៥ × ១០-6K-1 |
សូមស្វាគមន៍យ៉ាងកក់ក្តៅចំពោះអ្នកមកកាន់រោងចក្ររបស់យើង សូមធ្វើការពិភាក្សាបន្ថែម!
