ធាតុកំដៅ SiC ដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ផ្ទាល់ខ្លួន

រូបភាពពិសេសរបស់ឧបករណ៍កំដៅ SiC Coated Graphite Heater ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ផ្ទាល់ខ្លួន

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

Graphite heater គឺជាប្រភេទសម្ភារៈកំដៅអគ្គីសនីដែលបង្កើតកំដៅដោយកំដៅសម្ភារៈ graphite តាមអេឡិចត្រូនិច ដែលជាធម្មតាធ្វើពីក្រាហ្វិច និងសេរ៉ាមិច។ រចនាសម្ព័ន្ធរលករបស់វាអាចបញ្ចេញកំដៅបានយ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាព និងត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម សំណង់ កសិកម្ម និងជីវិតប្រចាំថ្ងៃ។ ដោយសារតែចរន្តកំដៅដ៏ល្អ និងស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធាតុកំដៅក្រាហ្វីតត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង ទាញយកជា PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

លក្ខណៈសំខាន់ៗនៃកំដៅក្រាហ្វិច៖

1. ឯកសណ្ឋាននៃរចនាសម្ព័ន្ធកំដៅ។

2. ចរន្តអគ្គិសនីល្អ និងបន្ទុកអគ្គិសនីខ្ពស់។

3. ធន់នឹងច្រេះ។

4. inoxidizability ។

5. ភាពបរិសុទ្ធគីមីខ្ពស់។

6. កម្លាំងមេកានិចខ្ពស់។

អត្ថប្រយោជន៍គឺសន្សំសំចៃថាមពល តម្លៃខ្ពស់ និងការថែទាំទាប។ យើងអាចផលិតសារធាតុប្រឆាំងអុកស៊ីតកម្ម និងអាយុកាលវែង ក្រាហ្វីត ក្រាហ្វីត ផ្សិតក្រាហ្វីត និងគ្រប់ផ្នែកទាំងអស់នៃកំដៅក្រាហ្វិត។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រចម្បងនៃកំដៅក្រាហ្វិច

លក្ខណៈបច្ចេកទេស	Semicera-M3
ដង់ស៊ីតេភាគច្រើន (g/cm3)	≥1.85
មាតិកាផេះ (PPM)	≤500
ភាពរឹងរបស់ច្រាំង	≥45
ភាពធន់ទ្រាំជាក់លាក់ (μ.Ω.m)	≤12
កម្លាំងបត់បែន (Mpa)	≥40
កម្លាំងបង្ហាប់ (Mpa)	≥70
អតិបរមា។ ទំហំគ្រាប់ធញ្ញជាតិ (μm)	≤43
មេគុណនៃការពង្រីកកំដៅ Mm/°C	≤4.4*10-6

ថាមពល VET គឺ នេះ។ក្រុមហ៊ុនផលិតពិតប្រាកដនៃផលិតផល graphite និង silicon carbide ផ្ទាល់ខ្លួនជាមួយនឹងថ្នាំកូត CVD,អាចផ្គត់ផ្គង់ផ្សេងៗគ្រឿងបន្លាស់តាមតម្រូវការសម្រាប់ឧស្សាហកម្ម semiconductor និង photovoltaic ។ Oក្រុមបច្ចេកទេសរបស់អ្នកមកពីស្ថាប័នស្រាវជ្រាវក្នុងស្រុកកំពូលអាចផ្តល់នូវដំណោះស្រាយសម្ភារៈដែលមានជំនាញវិជ្ជាជីវៈបន្ថែមទៀតសម្រាប់អ្នក។

យើងបន្តអភិវឌ្ឍដំណើរការកម្រិតខ្ពស់ ដើម្បីផ្តល់នូវសម្ភារៈទំនើបៗបន្ថែមទៀត។និងបានធ្វើការចេញនូវបច្ចេកវិជ្ជាដែលមានប៉ាតង់ផ្តាច់មុខ ដែលអាចធ្វើឱ្យទំនាក់ទំនងរវាងថ្នាំកូត និងស្រទាប់ខាងក្រោមកាន់តែតឹង ហើយងាយនឹងបំបែកចេញ។

Fអាហារនៃផលិតផលរបស់យើង៖

1. ភាពធន់ទ្រាំអុកស៊ីតកម្មសីតុណ្ហភាពខ្ពស់រហូតដល់ 1700℃.
2. ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់និងឯកសណ្ឋានកម្ដៅ
3. ធន់នឹងច្រេះល្អ៖ អាស៊ីត អាល់កាឡាំង អំបិល និងសារធាតុសរីរាង្គ។
4. ភាពរឹងខ្ពស់ ផ្ទៃបង្រួម ភាគល្អិតល្អ។
5. អាយុកាលសេវាកម្មយូរជាង និងប្រើប្រាស់បានយូរជាងមុន

CVD SiC薄膜基本物理性能 លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តមូលដ្ឋាននៃ CVD SiCថ្នាំកូត
性质 / ទ្រព្យសម្បត្តិ	典型数值 / តម្លៃធម្មតា។
晶体结构 / រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់	ដំណាក់កាល FCC β多晶，主要为（111) 取向
密度 / ដង់ស៊ីតេ	3.21 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ 3
硬度 / រឹង	2500 维氏硬度 (ផ្ទុក 500 ក្រាម)
晶粒大小 / គ្រាប់ធញ្ញជាតិ SiZe	2 ~ 10 μm
纯度 / ភាពបរិសុទ្ធគីមី	99.99995%
热内 / សមត្ថភាពកំដៅ	640 J · គីឡូក្រាម^-1· ខេ^-1
升华温度 / សីតុណ្ហភាព Sublimation	២៧០០ អង្សាសេ
抗弯强度 / កម្លាំងបត់បែន	415 MPa RT 4 ចំណុច
杨氏模量 / ម៉ូឌុលរបស់ Young	430 Gpa 4pt ពត់, 1300 ℃
导热系数 / កំដៅលីត្រចរន្តអគ្គិសនី	៣០០ វ៉^-1· ខេ^-1
热膨胀系数 / ការពង្រីកកំដៅ (CTE)	៤.៥ × ១០^-6K^-1