Жаңалықтар

Кремний карбидіне қандай техникалық кедергілер бар?Ⅱ
admin 24.05.22 күні
Тұрақты өнімділігі бар тұрақты сериялық өндіруші жоғары сапалы кремний карбид пластиналарындағы техникалық қиындықтарға мыналар жатады: 1) Кристаллдар 2000°C жоғары температурада тығыздалған ортада өсуі қажет болғандықтан, температураны бақылау талаптары өте жоғары; 2) Кремний карбидінде көбірек...
Толығырақ оқыңыз
Кремний карбидіне қандай техникалық кедергілер бар?
admin 24.05.22 күні
Жартылай өткізгіш материалдардың бірінші буыны дәстүрлі кремний (Si) және германий (Ge) арқылы ұсынылған, олар интегралдық схемаларды өндіру үшін негіз болып табылады. Олар төмен вольтты, төмен жиілікті және аз қуатты транзисторлар мен детекторларда кеңінен қолданылады. Жартылай өткізгіш өнімдердің 90%-дан астамы...
Толығырақ оқыңыз
SiC микро ұнтағы қалай жасалады?
admin 24.05.13 күні
SiC монокристалы – 1:1 стехиометриялық қатынасында Si және C деген екі элементтен тұратын IV-IV топтағы қосылыс жартылай өткізгіш материал. Оның қаттылығы алмаздан кейін екінші орында. SiC дайындау үшін кремний оксидін көміртекті тотықсыздандыру әдісі негізінен келесі химиялық реакция формуласына негізделген...
Толығырақ оқыңыз
Эпитаксиалды қабаттар жартылай өткізгіш құрылғыларға қалай көмектеседі?
admin 24.05.13 күні
Эпитаксиальді пластиналар атауының шығу тегі Алдымен, шағын ұғымды танымал етейік: вафельді дайындау екі негізгі буынды қамтиды: субстратты дайындау және эпитаксиалды процесс. Субстрат жартылай өткізгіш монокристалды материалдан жасалған пластинка болып табылады. Субстрат вафли өндірісіне тікелей кіре алады...
Толығырақ оқыңыз
Химиялық буларды тұндыру (CVD) жұқа қабықшаны тұндыру технологиясымен таныстыру
admin 24.05.06 күні
Химиялық буларды тұндыру (CVD) - маңызды жұқа қабықша тұндыру технологиясы, жиі әртүрлі функционалды пленкалар мен жұқа қабатты материалдарды дайындау үшін қолданылады және жартылай өткізгіш өндірісінде және басқа салаларда кеңінен қолданылады. 1. CVD жұмыс принципі CVD процесінде газ прекурсоры (бір немесе ай...
Толығырақ оқыңыз
Фотоэлектрлік жартылай өткізгіштер өнеркәсібінің артындағы «қара алтын» құпиясы: изостатикалық графитке деген ұмтылыс және тәуелділік
admin 24.05.06 күні
Изостатикалық графит фотоэлектрлік және жартылай өткізгіштерде өте маңызды материал болып табылады. Отандық изостатикалық графит компанияларының жылдам өсуімен Қытайдағы шетелдік компаниялардың монополиясы бұзылды. Үздіксіз тәуелсіз зерттеулер мен әзірлемелер және технологиялық жетістіктермен ...
Толығырақ оқыңыз
Жартылай өткізгішті керамика өндірісіндегі графит қайықтарының негізгі сипаттамаларын ашу
admin 24.04.22 күні
Графит қайықтары деп те аталатын графит қайықтары жартылай өткізгіш керамика өндірісінің күрделі процестерінде шешуші рөл атқарады. Бұл мамандандырылған ыдыстар дәл және бақыланатын өңдеуді қамтамасыз ете отырып, жоғары температурада өңдеу кезінде жартылай өткізгіш пластиналар үшін сенімді тасымалдаушылар ретінде қызмет етеді. С...
Толығырақ оқыңыз
Пеш түтік жабдығының ішкі құрылымы егжей-тегжейлі түсіндіріледі
admin 24.04.22 күні
Жоғарыда көрсетілгендей, әдеттегі болып табылады Бірінші жартысы: Қыздыру элементі (жылыту катушкасы) : пеш түтігінің айналасында орналасқан, әдетте пеш түтігінің ішкі жағын қыздыру үшін қолданылатын кедергі сымдарынан жасалған. Кварц түтігі: жоғары температураға төтеп бере алатын жоғары таза кварцтан жасалған ыстық тотығу пешінің өзегі...
Толығырақ оқыңыз
SiC субстратының және эпитаксиалды материалдардың MOSFET құрылғысының сипаттамаларына әсері
admin 24.04.16 күні
Үшбұрышты ақау Үшбұрышты ақаулар SiC эпитаксиалды қабаттарындағы ең өлімге әкелетін морфологиялық ақаулар болып табылады. Көптеген әдебиеттер есептерінде үшбұрышты ақаулардың пайда болуы 3С кристалдық формасымен байланысты екенін көрсетті. Дегенмен, әртүрлі өсу механизмдеріне байланысты морфологиясы көптеген тр...
Толығырақ оқыңыз