SiC დაფარული suscetpor არის ძირითადი კომპონენტი, რომელიც გამოიყენება სხვადასხვა ნახევარგამტარული წარმოების პროცესში. ჩვენ ვიყენებთ ჩვენს დაპატენტებულ ტექნოლოგიას SiC დაფარული სუსცეპორის დასამზადებლად უკიდურესად მაღალი სისუფთავით, კარგი საფარის ერთგვაროვნებით და შესანიშნავი მომსახურების ვადით, ასევე მაღალი ქიმიური წინააღმდეგობის და თერმული სტაბილურობის თვისებებით.
ჩვენი პროდუქციის მახასიათებლები:
1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა 1700℃-მდე.
2. მაღალი სისუფთავე და თერმული ერთგვაროვნება
3. შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
4. მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
5. ხანგრძლივი მომსახურების ვადა და უფრო გამძლე
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ის ძირითადი ფიზიკური თვისებებისაფარი | |
| 性质 / საკუთრება | 典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა |
| 晶体结构 / კრისტალური სტრუქტურა | FCC β ფაზა多晶，主要为（111 წელი |
| 密度 / სიმჭიდროვე | 3.21 გ/სმ³ |
| 硬度 / სიხისტე | 2500 × 500 გრ დატვირთვა) |
| 晶粒大小 / მარცვლეულის ზომა | 2 ~ 10 მკმ |
| 纯度 / ქიმიური სისუფთავე | 99.99995% |
| 热容 / სითბოს სიმძლავრე | 640 J· კგ-1· კ-1 |
| 升华温度 / სუბლიმაციის ტემპერატურა | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4-პუნქტიანი |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt მოსახვევი, 1300℃ |
| 导热系数 / თერმალგამტარობა | 300 W · მ-1· კ-1 |
| 热膨胀系数 / თერმული გაფართოება (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ქარხანაში, მოდით ვისაუბროთ შემდგომში!
-
მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის ფხვნილი ნახევარგამტარული...
-
PEM წყლის ელექტროლიზის გაზის დიფუზიური ფენა ტიტა...
-
დიდი ზომის რეკრისტალიზებული სილიკონის კარბიდის ვაფლი...
-
მაღალი სისუფთავის იზოსტატიკური სხვადასხვა სპეციფიკაციები...
-
გრაფიტის ჭანჭიკები და კაკალი
-
მორგებული TaC დაფარული გრაფიტის ჭურჭელი