SiC ღერძის ყდის

აღწერა:

სილიკონის კარბიდს აქვს შესანიშნავი კოროზიისადმი მდგრადი, მაღალი მექანიკური სიმტკიცე, მაღალი თერმული კონდუქტომეტრი, კარგი თვითშეზეთვა, რომელიც გამოიყენება კოსმოსურ ხომალდებში, საკისრებში და მილებში, მანქანებში, მეტალურგიაში, ბეჭდვასა და შეღებვაში, საკვებ პროდუქტებში, ფარმაცევტში, ავტომრეწველობაში და ა. on. როდესაც sic სახეები შერწყმულია გრაფიტის სახეებთან, ხახუნი ყველაზე მცირეა და მათი დამზადება შესაძლებელია მექანიკურ ლუქებად, რომლებსაც შეუძლიათ მუშაობა უმაღლესი სამუშაო მოთხოვნების შესაბამისად.

სილიციუმის კარბიდის ძირითადი თვისებები:

- დაბალი სიმკვრივე

- მაღალი თბოგამტარობა (ალუმინთან ახლოს)

- კარგი თერმული შოკის წინააღმდეგობა

- თხევადი და გაზის საწინააღმდეგო

- მაღალი ცეცხლგამძლეობა (გამოიყენება 1450℃ ჰაერში და 1800℃ ნეიტრალურ ატმოსფეროში)

- მას არ ექვემდებარება კოროზია და არ დაასველოთ გამდნარი ალუმინის ან გამდნარი თუთიით

- მაღალი სიხისტე

- დაბალი ხახუნის კოეფიციენტი

-აბრაზიული წინააღმდეგობა

- გამძლეა ძირითადი და ძლიერი მჟავების მიმართ

- გასაპრიალებელი

- მაღალი მექანიკური სიმტკიცე

სილიკონის კარბიდის გამოყენება:

-მექანიკური ლუქები, საკისრები, საკისრები და ა.შ

- მბრუნავი სახსრები

-ნახევარგამტარი და საფარი

-ბალიშები ტუმბოს კომპონენტები

-ქიმიური კომპონენტები

- სარკეები სამრეწველო ლაზერული სისტემებისთვის.

- უწყვეტი ნაკადის რეაქტორები, სითბოს გადამცვლელები და ა.შ.

ფუნქცია

სილიციუმის კარბიდი იქმნება ორი გზით:

1) უწნეო აგლომერირებული სილიციუმის კარბიდი

მას შემდეგ, რაც უწნეო აგლომერირებული სილიციუმის კარბიდის მასალა ამოიჭრება, კრისტალური ფაზის დიაგრამა 200X ოპტიკური მიკროსკოპის ქვეშ გვიჩვენებს, რომ კრისტალების განაწილება და ზომა ერთგვაროვანია და ყველაზე დიდი კრისტალი არ აღემატება 10 μm.

2) რეაქციის აგლომერირებული სილიციუმის კარბიდი

რეაქციის შემდეგ აგლომერირებული სილიციუმის კარბიდი ქიმიურად ამუშავებს მასალის ბრტყელ და გლუვ მონაკვეთს, კრისტალს
განაწილება და ზომა 200X ოპტიკური მიკროსკოპის ქვეშ ერთგვაროვანია და თავისუფალი სილიციუმის შემცველობა არ აღემატება 12%-ს.