8 Inch P Tipe Silicon Wafer

8 Inch P Type Silicon Wafer Featured Gambar

Katrangan singkat:

Ngenalke wafer Silicon Tipe P 8 Inch kelas premium, minangka ciri keunggulan saka VET Energy. Wafer luar biasa iki, kanthi profil doping P-jinis, dirancang kanthi tliti kanggo nyukupi standar kualitas lan kinerja sing paling dhuwur.

Kirimi email kanggo kita Ngundhuh minangka PDF

Detail Produk

Tag produk

Wafer Silicon Tipe P 8 Inch saka VET Energy minangka wafer silikon kinerja dhuwur sing dirancang kanggo macem-macem aplikasi semikonduktor, kalebu sel surya, piranti MEMS, lan sirkuit terpadu. Dikenal amarga konduktivitas listrik sing apik lan kinerja sing konsisten, wafer iki minangka pilihan sing disenengi kanggo produsen sing pengin ngasilake komponen elektronik sing dipercaya lan efisien. VET Energy njamin tingkat doping sing tepat lan permukaan permukaan sing berkualitas tinggi kanggo fabrikasi piranti sing optimal.

Wafer Silikon Tipe P 8 Inch iki kompatibel karo macem-macem bahan kayata Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, lan cocog kanggo pertumbuhan Epi Wafer, njamin fleksibilitas kanggo proses manufaktur semikonduktor maju. Wafer uga bisa digunakake bebarengan karo bahan berteknologi tinggi liyane kaya Gallium Oxide Ga2O3 lan AlN Wafer, dadi becik kanggo aplikasi elektronik generasi sabanjure. Desain sing mantep uga cocog karo sistem basis Kaset, njamin penanganan produksi sing efisien lan volume dhuwur.

VET Energy nyedhiyakake pelanggan karo solusi wafer khusus. Kita bisa ngatur wafer karo resistivity beda, isi oksigen, kekandelan, etc. miturut kabutuhan tartamtu pelanggan '. Kajaba iku, kita uga nyedhiyakake dhukungan teknis profesional lan layanan sawise-sales kanggo mbantu para pelanggan ngatasi macem-macem masalah sing ditemoni sajrone proses produksi.

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

Item	8-inci	6-Inci			4-Inci
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Gandhewo (GF3YFCD) -Nilai Absolute	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

LUWIH RAPI

*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

Item	8-inci	6-Inci			4-Inci
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Lumahing Rampung	Poles Optik sisih pindho, Si- Face CMP
Kekasaran lumahing	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Wajah Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Wajah Ra≤0.5nm
Kripik pinggir	Ora ana sing diidini (dawa lan jembar ≥0.5mm)
Indentasi	Ora ana sing diidini
Goresan (Si-Face)	Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer	Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer			Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer
Retak	Ora ana sing diidini
Pangecualian Edge	3 mm