Wafer GaAs 4 Inch

Katrangan singkat:

VET Energy 4 inch GaAs wafer minangka substrat semikonduktor kemurnian dhuwur sing misuwur amarga sifat elektronik sing apik banget, dadi pilihan sing cocog kanggo macem-macem aplikasi. VET Energy nggunakake teknik pertumbuhan kristal canggih kanggo ngasilake wafer GaAs kanthi keseragaman sing luar biasa, kapadhetan cacat sing sithik, lan tingkat doping sing tepat.

Kirimi email kanggo kita Ngundhuh minangka PDF

Detail Produk

Tag produk

Wafer GaAs 4 Inch saka VET Energy minangka bahan penting kanggo piranti optoelektronik kanthi kacepetan dhuwur, kalebu amplifier RF, LED, lan sel surya. Wafer iki dikenal kanthi mobilitas elektron sing dhuwur lan kemampuan kanggo operate ing frekuensi sing luwih dhuwur, dadi komponen kunci ing aplikasi semikonduktor canggih. VET Energy njamin wafer GaAs kualitas dhuwur kanthi kekandelan seragam lan cacat minimal, cocok kanggo macem-macem proses fabrikasi sing nuntut.

Wafer GaAs 4 Inch iki kompatibel karo macem-macem bahan semikonduktor kayata Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, lan SiN Substrat, nggawe serbaguna kanggo integrasi menyang arsitektur piranti sing beda-beda. Apa digunakake kanggo produksi Epi Wafer utawa bebarengan karo bahan canggih kaya Gallium Oxide Ga2O3 lan AlN Wafer, dheweke nawakake dhasar sing dipercaya kanggo elektronik generasi sabanjure. Kajaba iku, wafer kompatibel karo sistem penanganan basis Kaset, njamin operasi lancar ing lingkungan riset lan produksi volume dhuwur.

VET Energy nawakake portofolio lengkap substrat semikonduktor, kalebu Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, lan AlN Wafer. Lini produk sing maneka warna nyukupi kabutuhan macem-macem aplikasi elektronik, saka elektronik daya nganti RF lan optoelektronik.

VET Energy nawakake wafer GaAs sing bisa disesuaikan kanggo nyukupi syarat khusus sampeyan, kalebu tingkat doping, orientasi, lan permukaan sing beda. Tim pakar kita nyedhiyakake dhukungan teknis lan layanan sawise adol kanggo njamin sukses sampeyan.

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

Item	8-inci	6-Inci			4-Inci
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Gandhewo (GF3YFCD) -Nilai Absolute	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

LUWIH RAPI

*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

Item	8-inci	6-Inci			4-Inci
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Lumahing Rampung	Poles Optik sisih pindho, Si- Face CMP
Kekasaran lumahing	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Wajah Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Wajah Ra≤0.5nm
Kripik pinggir	Ora ana sing diidini (dawa lan jembar ≥0.5mm)
Indentasi	Ora ana sing diidini
Goresan (Si-Face)	Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer	Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer			Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer
Retak	Ora ana sing diidini
Pangecualian Edge	3 mm