Wafer SiC Tipe N 6 Inch iki dirancang kanggo kinerja sing luwih apik ing kahanan sing ekstrem, dadi pilihan sing cocog kanggo aplikasi sing mbutuhake daya dhuwur lan tahan suhu. Produk utama sing ana gandhengane karo wafer iki kalebu Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, lan Substrat SiN. Bahan kasebut njamin kinerja sing optimal ing macem-macem proses manufaktur semikonduktor, ngidini piranti sing efisien energi lan tahan lama.
Kanggo perusahaan sing nggarap Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, utawa AlN Wafer, VET Energy's 6 Inch N Type SiC Wafer nyedhiyakake dhasar sing dibutuhake kanggo pangembangan produk sing inovatif. Apa ing elektronik daya dhuwur utawa paling anyar ing teknologi RF, wafer iki njamin konduktivitas banget lan resistance termal minimal, nyurung wates efisiensi lan kinerja.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Gandhewo (GF3YFCD) -Nilai Absolute | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
LUWIH RAPI
*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Lumahing Rampung | Poles Optik sisih pindho, Si- Face CMP | ||||
Kekasaran lumahing | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Kripik pinggir | Ora ana sing diidini (dawa lan jembar ≥0.5mm) | ||||
Indentasi | Ora ana sing diidini | ||||
Goresan (Si-Face) | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | ||
Retak | Ora ana sing diidini | ||||
Pangecualian Edge | 3 mm |