SiC Coating Carrier Kanggo RTP / RTA minangka komponen kunci sing digunakake ing proses manufaktur semikonduktor sing diarani Rapid Thermal Processing & Annealing, kita nggunakake teknologi paten kanggo nggawe operator silikon karbida kanthi kemurnian sing dhuwur banget, keseragaman lapisan sing apik lan umur layanan sing apik, minangka uga tahan kimia dhuwur lan sifat stabilitas termal.
Fitur produk kita:
1. Resistance oksidasi suhu dhuwur nganti 1700 ℃.
2. Kemurnian dhuwur lan keseragaman termal
3. Resistensi korosi sing apik: reagen asam, alkali, uyah lan organik.
4. kekerasan dhuwur, lumahing kompak, partikel alus.
5. Urip layanan luwih dawa lan luwih awet
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dhasar saka CVD SiClapisan | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai khas |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fase β FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Kapadhetan | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（500g beban） |
| 晶粒大小 / Ukuran Gandum | 2~10μm |
| 纯度 / Kemurnian Kimia | 99.99995% |
| 热容 / Kapasitas panas | 640 J·kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Kekuwatan lentur | 415 MPa RT 4-titik |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | 430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduktivitas | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy minangka pabrikan nyata produk grafit lan silikon karbida sing disesuaikan kanthi macem-macem lapisan kaya lapisan SiC, lapisan TaC, lapisan karbon kaca, lapisan karbon pirolitik, lan sapiturute, bisa nyedhiyakake macem-macem bagean khusus kanggo industri semikonduktor lan fotovoltaik.
Tim teknis kita asale saka institusi riset domestik ndhuwur, bisa menehi solusi materi sing luwih profesional kanggo sampeyan.
Kita terus-terusan ngembangake proses maju kanggo nyedhiyakake bahan sing luwih maju, lan wis ngupayakake teknologi paten sing eksklusif, sing bisa nggawe ikatan antarane lapisan lan landasan luwih kenceng lan kurang rentan kanggo detasemen.
Sugeng rawuh ing pabrik kita, ayo diskusi luwih lanjut!
