Garis produk VET Energy ora diwatesi karo GaN ing wafer SiC. Kita uga nyedhiyakake macem-macem bahan substrat semikonduktor, kalebu Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, lan liya-liyane. Wafer, kanggo nyukupi panjaluk industri elektronik daya ing mangsa ngarep kanggo piranti kinerja sing luwih dhuwur.
VET Energy nyedhiyakake layanan kustomisasi fleksibel, lan bisa ngatur lapisan epitaxial GaN kanthi ketebalan sing beda-beda, macem-macem jinis doping, lan ukuran wafer sing beda-beda miturut kabutuhan khusus pelanggan. Kajaba iku, kita uga nyedhiyakake dhukungan teknis profesional lan layanan sawise-sales kanggo mbantu para pelanggan kanthi cepet ngembangake piranti elektronik daya kinerja dhuwur.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Gandhewo (GF3YFCD) -Nilai Absolute | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
LUWIH RAPI
*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Lumahing Rampung | Poles Optik sisih pindho, Si- Face CMP | ||||
Kekasaran lumahing | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Kripik pinggir | Ora ana sing diidini (dawa lan jembar ≥0.5mm) | ||||
Indentasi | Ora ana sing diidini | ||||
Goresan (Si-Face) | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | ||
Retak | Ora ana sing diidini | ||||
Pangecualian Edge | 3 mm |