6 Inch P Tipe Silicon Wafer

6 Inch P Type Silicon Wafer Featured Gambar

Katrangan singkat:

VET Energy 6-inch wafer silikon P-jinis minangka bahan dasar semikonduktor berkualitas tinggi, digunakake digunakake ing pabrik macem-macem piranti elektronik. VET Energy nggunakake proses wutah CZ majeng kanggo mesthekake yen wafer nduweni kualitas kristal banget, Kapadhetan kurang cacat lan uniformity dhuwur.

Kirimi email kanggo kita Ngundhuh minangka PDF

Detail Produk

Tag produk

Garis produk VET Energy ora diwatesi ing wafer silikon. Kita uga nyedhiyakake macem-macem bahan substrat semikonduktor, kalebu Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, lan sapiturute, uga bahan semikonduktor celah pita lebar anyar kayata Gallium Oxide Ga2O3 lan AlN Wafer. Produk kasebut bisa nyukupi kabutuhan aplikasi saka macem-macem pelanggan ing elektronika daya, frekuensi radio, sensor lan lapangan liyane.

Bidang aplikasi:
•Sirkuit terpadu:Minangka bahan dhasar kanggo manufaktur sirkuit terpadu, wafer silikon P-jinis digunakake akeh ing macem-macem sirkuit logika, kenangan, etc.
•Piranti daya:Wafer silikon tipe P bisa digunakake kanggo nggawe piranti daya kayata transistor daya lan dioda.
•Sensor:Wafer silikon P-jinis bisa digunakake kanggo nggawe macem-macem jinis sensor, kayata sensor tekanan, sensor suhu, lsp.
•sel surya:Wafer silikon tipe-P minangka komponèn penting saka sel surya.

VET Energy nyedhiyakake solusi wafer khusus kanggo pelanggan, lan bisa ngatur wafer kanthi resistivity sing beda, isi oksigen sing beda, ketebalan sing beda lan spesifikasi liyane miturut kabutuhan khusus pelanggan. Kajaba iku, kita uga nyedhiyakake dhukungan teknis profesional lan layanan sawise-sales kanggo mbantu para pelanggan ngatasi macem-macem masalah sing ditemoni ing proses produksi.

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

Item	8-inci	6-Inci			4-Inci
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Gandhewo (GF3YFCD) -Nilai Absolute	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

LUWIH RAPI

*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

Item	8-inci	6-Inci			4-Inci
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Lumahing Rampung	Poles Optik sisih pindho, Si- Face CMP
Kekasaran lumahing	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Wajah Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Wajah Ra≤0.5nm
Kripik pinggir	Ora ana sing diidini (dawa lan jembar ≥0.5mm)
Indentasi	Ora ana sing diidini
Goresan (Si-Face)	Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer	Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer			Qty.≤5, Kumulatif Length≤0.5 × diameter wafer
Retak	Ora ana sing diidini
Pangecualian Edge	3 mm