SiCコーティング/コーティンググラファイト基板/半導体用トレイ

簡単な説明:

VET Energy エピタキシャル成長用 SiC コーティング グラファイト サセプタは、長期間にわたって一貫した信頼性の高いパフォーマンスを提供するように設計された高性能製品です。非常に優れた耐熱性と熱均一性、高純度、耐浸食性を備えており、ウェーハ処理用途に最適なソリューションです。


製品詳細

製品タグ

SiCコーティング/半導体用グラファイトサセプタのコーティング
 
SiCコーティングされたグラファイト基板は、半導体加工業界の厳しい要求を満たすように設計された、耐久性と効率性に優れたソリューションです。高純度層を特徴とする炭化ケイ素(SiC)コーティングこの基板は、優れた熱安定性、耐酸化性、長寿命を実現し、MOCVD プロセス、グラファイト ウェーハ キャリア、およびその他の高温環境でのアプリケーションに最適です。

 特徴: 
・優れた耐熱衝撃性
・優れた耐物理衝撃性
・優れた耐薬品性
・超高純度
· 複雑な形状でも利用可能
・酸化性雰囲気下でも使用可能

応用:

3

製品の特徴と利点:

1. 優れた耐熱性:高純度でSiCコーティング、基板は極端な温度に耐え、エピタキシーや半導体製造などの厳しい環境で一貫したパフォーマンスを保証します。

2.耐久性の向上:SiC コーティングされたグラファイト コンポーネントは、化学的腐食や酸化に耐えるように設計されており、標準的なグラファイト基板と比較して基板の寿命が長くなります。

3. ガラス質被覆グラファイト:独特の硝子体構造により、SiCコーティング優れた表面硬度を実現し、高温処理時の摩耗を最小限に抑えます。

4. 高純度SiCコーティング:当社の基板は、繊細な半導体プロセスにおける汚染を最小限に抑え、厳しい材料純度を必要とする産業に信頼性を提供します。

5. 幅広い市場への応用:SiC コーティングされたグラファイトサセプター半導体製造における高度なSiCコーティング製品の需要の増加に伴い市場は成長を続けており、この基板はグラファイトウェハーキャリア市場と炭化ケイ素コーティングされたグラファイトトレイ市場の両方で主要プレーヤーとして位置付けられています。

ベースグラファイト材料の典型的な特性:

見掛け密度: 1.85g/cm3
電気抵抗率: 11μΩm
曲げ強度: 49MPa(500kgf/cm2)
ショア硬度: 58
灰: <5ppm
熱伝導率: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

 

CVD SiC膜の基本物理性能

CVD SiCの基本物性コーティング

性质 / プロパティ

代表値 / 代表値

結晶構造 / 結晶構造

FCC β 相多結晶、主に(111)取方向

密度 / 密度

3.21 g/cm3

硬さ・硬さ

2500维度硬度(500g荷重)

結晶粒大 / 粒サイズ

2~10μm

品質 / 化学純度

99.99995%

熱容量 / 熱容量

640J・kg-1・K-1

昇华温度 / 昇華温度

2700℃

耐弯强度 / 曲げ強さ

415MPa RT 4点

杨氏模量 / ヤング率

430 Gpa 4pt曲げ、1300℃

导熱系数 / 熱伝導率

300W・m-1・K-1

熱膨張胀系数 / 熱膨張(CTE)

4.5×10-6K-1

1

2

 

 

VET Energy は、SiC コーティング、TaC コーティング、ガラス状炭素コーティング、熱分解炭素コーティングなどのさまざまなコーティングを施したカスタマイズされたグラファイトおよび炭化ケイ素製品の本物のメーカーであり、半導体および太陽光発電産業向けにさまざまなカスタマイズされた部品を供給できます。

当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関から来ており、より専門的な材料ソリューションを提供できます。

当社は、より高度な材料を提供するために高度なプロセスを開発し続けており、コーティングと基材の間の結合をより強固にし、剥離しにくくすることができる独自の特許技術を開発しました。

私たちの工場を訪問することを温かく歓迎します、さらなる議論をしましょう!

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