Anello dentato in grafite rivestito in SiC

Breve descrizione:

L'anello dentato in grafite rivestito in SiC VET Energy è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.


  • Luogo d'origine:Cina
  • Struttura cristallina:Fase FCCβ
  • Densità:3,21 g/cm;
  • Durezza:2500 Vickers;
  • Purezza chimica:99,99995%;
  • Capacità termica:640J·kg-1·K-1;
  • Temperatura di sublimazione:2700℃;
  • Granulometria:2~10μm;
  • Forza flessionale:415 Mpa (RT 4 punti);
  • Modulo di Young:430 Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃);
  • Dilatazione Termica (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Conducibilità termica:300(W/MK);
  • Dettagli del prodotto

    Tag dei prodotti

    L'anello dentato in grafite rivestito in SiC è un componente chiave utilizzato in vari processi di produzione di semiconduttori. Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare un supporto in carburo di silicio con purezza estremamente elevata, buona uniformità del rivestimento e durata di servizio eccellente, nonché elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

    VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con trattamenti superficiali come rivestimento SiC, rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica.

    Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.

    Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.

    Caratteristiche dei nostri prodotti:

    1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700 ℃.
    2. Elevata purezza e uniformità termica
    3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

    4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
    5. Maggiore durata e maggiore durata

    CVD SiC薄膜基本物理性能

    Proprietà fisiche fondamentali del SiC CVDrivestimento

    性质 / Proprietà

    典型数值 /Valore tipico

    晶体结构 / Struttura cristallina

    Fase β dell'FCC多晶,主要为(111)取向

    密度 / Densità

    3,21 g/cm³

    硬度 / Durezza

    2500 tonnellate di carico (carico da 500 g)

    晶粒大小 / Granulometria

    2~10μm

    纯度 / Purezza chimica

    99,99995%

    热容 / Capacità termica

    640 J·kg-1·K-1

    升华温度 /Temperatura di sublimazione

    2700 ℃

    抗弯强度 / Resistenza alla flessione

    415 MPa RT a 4 punti

    杨氏模量 / Modulo di Young

    Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃

    导热系数 /TermelConduttività

    300W·m-1·K-1

    热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)

    4,5×10-6K-1

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