Suscettore a canna is a chiavecomponente utilizzato in vari processi di produzione di semiconduttori.Usiamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare ilsuscettore a botteconpurezza estremamente elevata,Benerivestimentouniformitàe un'eccellente durata, così comeelevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.
VET L'energia è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariparti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornire soluzioni materiali più professionaliper te.
Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno messo a punto un'esclusiva tecnologia brevettata, in grado di rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno soggetto a distaccamenti.
Fcaratteristiche dei nostri prodotti:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700℃.
2. Elevata purezza euniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Durata di servizio più lunga e più durevole
CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
性质 / Proprietà | 典型数值 /Valore tipico |
晶体结构 / Struttura in cristallo | Fase β dell'FCC多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico di 500 g) |
晶粒大小 / Granulometria | 2~10μm |
纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 /Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
杨氏模量 / Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
导热系数 /TermelConduttività | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Un caloroso benvenuto a visitare la nostra fabbrica, disponiamo di ulteriori discussioni!