Paletta a sbalzo RBSIC/SISIC in carburo di silicio di buona qualità utilizzata nell'industria solare fotovoltaica

Pala a sbalzo RBSIC/SISIC in carburo di silicio di buona qualità utilizzata nell'industria solare fotovoltaica Immagine in evidenza

Breve descrizione:

I vantaggi speciali dei nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC includono purezza estremamente elevata, rivestimento omogeneo e un'eccellente durata. Hanno anche elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

Manteniamo tolleranze molto strette durante l'applicazione del rivestimento SiC, utilizzando lavorazioni meccaniche ad alta precisione per garantire un profilo uniforme del suscettore. Produciamo anche materiali con proprietà di resistenza elettrica ideali per l'uso in sistemi riscaldati a induzione. Tutti i componenti finiti sono dotati di certificato di purezza e conformità dimensionale.

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Strumenti ben gestiti, personale esperto in profitti e prodotti e servizi post-vendita molto migliori; Siamo stati anche un coniuge e figli importanti e uniti, ogni persona si attiene ai vantaggi dell'azienda "unificazione, dedizione, tolleranza" per la pala a sbalzo RBSIC/SISIC in carburo di silicio di buona qualità utilizzata nell'industria solare fotovoltaica, diamo sinceramente il benvenuto ai due paesi stranieri e nazionali compagni di impresa e spero di lavorare con te a breve e lungo termine!
Strumenti ben gestiti, personale esperto in profitti e prodotti e servizi post-vendita molto migliori; Siamo stati anche un coniuge e figli principali uniti, ogni persona si attiene ai vantaggi dell'azienda "unificazione, dedizione, tolleranza" perCina Ceramica refrattaria e forno per ceramica, Per soddisfare le esigenze di singoli clienti per un servizio sempre più perfetto e articoli di qualità stabile. Diamo un cordiale benvenuto ai clienti di tutto il mondo che vengono a trovarci, con la nostra poliedrica cooperazione e sviluppiamo congiuntamente nuovi mercati, creando un futuro brillante!

Rivestimento SiC/rivestimento di substrato di grafite per semiconduttori

I suscettori trattengono e riscaldano i wafer semiconduttori durante il trattamento termico. Un suscettore è costituito da un materiale che assorbe energia per induzione, conduzione e/o radiazione e riscalda il wafer. La resistenza allo shock termico, la conduttività termica e la purezza sono fondamentali per il trattamento termico rapido (RTP). La grafite rivestita in carburo di silicio, il carburo di silicio (SiC) e il silicio (Si) sono comunemente usati per i suscettori a seconda dell'ambiente termico e chimico specifico. PureSiC® CVD SiC e ClearCarbon™ materiale ultrapuro che offre stabilità termica, resistenza alla corrosione e durata superiori.

Descrizione del prodotto

Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.

Rivestimento SiC/rivestimento di substrato di grafite per semiconduttori

La ceramica tecnica è una scelta naturale per le applicazioni di trattamento termico dei semiconduttori, tra cui RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitassiale), diffusione, ossidazione e ricottura. CoorsTek fornisce componenti di materiali avanzati appositamente progettati per resistere agli shock termici con prestazioni di elevata purezza, robustezza e ripetibili per le alte temperature

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

applicazione:

Un wafer deve passare attraverso diversi passaggi prima di essere pronto per l'uso nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia del silicio, in cui i wafer vengono trasportati su suscettori di grafite. Le proprietà e la qualità dei suscettori hanno un effetto cruciale sulla qualità dello strato epitassiale del wafer.

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

Densità apparente:	1,85 g/cm3
Resistività elettrica:	11μΩm
Resistenza alla flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cenere:	<5 ppm
Conducibilità termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)