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Strumenti ben gestiti, personale esperto in profitti e prodotti e servizi post-vendita molto migliori; Siamo stati anche un coniuge e figli principali uniti, ogni persona si attiene ai vantaggi dell'azienda "unificazione, dedizione, tolleranza" perCina Ceramica refrattaria e forno per ceramica, Per soddisfare le esigenze di singoli clienti per un servizio sempre più perfetto e articoli di qualità stabile. Diamo un cordiale benvenuto ai clienti di tutto il mondo che vengono a trovarci, con la nostra poliedrica cooperazione e sviluppiamo congiuntamente nuovi mercati, creando un futuro brillante!
Rivestimento SiC/rivestimento di substrato di grafite per semiconduttori I suscettori trattengono e riscaldano i wafer semiconduttori durante il trattamento termico. Un suscettore è costituito da un materiale che assorbe energia per induzione, conduzione e/o radiazione e riscalda il wafer. La resistenza allo shock termico, la conduttività termica e la purezza sono fondamentali per il trattamento termico rapido (RTP). La grafite rivestita in carburo di silicio, il carburo di silicio (SiC) e il silicio (Si) sono comunemente usati per i suscettori a seconda dell'ambiente termico e chimico specifico. PureSiC® CVD SiC e ClearCarbon™ materiale ultrapuro che offre stabilità termica, resistenza alla corrosione e durata superiori. Descrizione del prodotto
Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.
La ceramica tecnica è una scelta naturale per le applicazioni di trattamento termico dei semiconduttori, tra cui RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitassiale), diffusione, ossidazione e ricottura. CoorsTek fornisce componenti di materiali avanzati appositamente progettati per resistere agli shock termici con prestazioni di elevata purezza, robustezza e ripetibili per le alte temperature
Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante
applicazione:
Un wafer deve passare attraverso diversi passaggi prima di essere pronto per l'uso nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia del silicio, in cui i wafer vengono trasportati su suscettori di grafite. Le proprietà e la qualità dei suscettori hanno un effetto cruciale sulla qualità dello strato epitassiale del wafer.
Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:
Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistività elettrica: | 11μΩm |
Resistenza alla flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Durezza Shore: | 58 |
Cenere: | <5 ppm |
Conducibilità termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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