Suscettore in grafite rivestito in carburo di silicio per l'incisione a LED

Breve descrizione:

Il suscettore in carburo di silicio per l'incisione a LED (vassoio SiC) è un accessorio speciale per l'incisione profonda del silicio (macchina per incisione ICP). supporto per wafer, noto anche come supporto per wafer, supporto per wafer di silicio, noto anche come wafer tascabile. Ampiamente usato nella CVD dei semiconduttori e nello sputtering sotto vuoto.

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Il suscettore rivestito in carburo di silicio èa chiavecomponente utilizzato in vari processi di produzione di semiconduttori.Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare il suscettore rivestito in carburo di siliciopurezza estremamente elevata,Benerivestimentouniformitàe un'eccellente durata, così comeelevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

VET L'energia è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariparti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornire soluzioni materiali più professionaliper te.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno messo a punto un'esclusiva tecnologia brevettata, in grado di rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno soggetto a distaccamenti.

Fcaratteristiche dei nostri prodotti:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700℃.
2. Elevata purezza euniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Maggiore durata e maggiore durata

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche fondamentali del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
晶体结构 / Struttura cristallina	Fase β dell'FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico da 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 /Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 /TermelConduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1