vet-china mempersembahkan Perahu & Alas Wafer Kolom Vertikal yang inovatif, solusi komprehensif untuk pemrosesan semikonduktor tingkat lanjut. Didesain dengan presisi yang sangat teliti, sistem penanganan wafer ini memberikan stabilitas dan kesejajaran yang tak tertandingi, yang penting untuk lingkungan manufaktur dengan efisiensi tinggi.
Perahu & Alas Wafer Kolom Vertikal dibuat dengan bahan premium yang menjamin stabilitas termal dan ketahanan terhadap korosi kimia, sehingga cocok untuk proses fabrikasi semikonduktor yang paling menuntut. Desain kolom vertikalnya yang unik menopang wafer dengan aman, mengurangi risiko ketidaksejajaran dan potensi kerusakan selama pengangkutan dan pemrosesan.
Dengan integrasi Perahu & Alas Wafer Kolom Vertikal dari vet-china, produsen semikonduktor dapat mengharapkan peningkatan hasil, meminimalkan waktu henti, dan meningkatkan hasil produk. Sistem ini kompatibel dengan berbagai ukuran dan konfigurasi wafer, menawarkan fleksibilitas dan skalabilitas untuk kebutuhan produksi yang berbeda.
Komitmen vet-china terhadap keunggulan memastikan bahwa setiap Perahu & Alas Wafer Kolom Vertikal memenuhi standar kualitas dan kinerja tertinggi. Dengan memilih solusi mutakhir ini, Anda berinvestasi dalam pendekatan penanganan wafer yang tahan masa depan yang memaksimalkan efisiensi dan keandalan dalam manufaktur semikonduktor.
Sifat silikon karbida rekristalisasi
Silikon karbida rekristalisasi (R-SiC) adalah material berkinerja tinggi dengan kekerasan kedua setelah intan, yang terbentuk pada suhu tinggi di atas 2000℃. Ini mempertahankan banyak sifat SiC yang sangat baik, seperti kekuatan suhu tinggi, ketahanan korosi yang kuat, ketahanan oksidasi yang sangat baik, ketahanan guncangan termal yang baik dan sebagainya.
● Sifat mekanik yang sangat baik. Silikon karbida yang dikristalisasi memiliki kekuatan dan kekakuan yang lebih tinggi daripada serat karbon, ketahanan benturan yang tinggi, dapat memainkan kinerja yang baik di lingkungan suhu ekstrim, dapat memainkan kinerja penyeimbang yang lebih baik dalam berbagai situasi. Selain itu, ia juga memiliki fleksibilitas yang baik dan tidak mudah rusak akibat peregangan dan pembengkokan, sehingga sangat meningkatkan kinerjanya.
● Ketahanan korosi yang tinggi. Silikon karbida rekristalisasi memiliki ketahanan korosi yang tinggi terhadap berbagai media, dapat mencegah erosi berbagai media korosif, dapat mempertahankan sifat mekaniknya dalam waktu lama, memiliki daya rekat yang kuat, sehingga memiliki masa pakai yang lebih lama. Selain itu, ia juga memiliki stabilitas termal yang baik, dapat beradaptasi dengan kisaran perubahan suhu tertentu, dan meningkatkan efek penerapannya.
● Sintering tidak menyusut. Karena proses sintering tidak menyusut, tidak ada tegangan sisa yang akan menyebabkan deformasi atau retak pada produk, dan bagian-bagian dengan bentuk yang rumit dan presisi tinggi dapat disiapkan.
| 重结晶碳化硅物理特性 Sifat fisik Silikon Karbida Rekristalisasi | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai Khas |
| 使用温度/ Suhu kerja (°C) | 1600°C (dengan oksigen), 1700°C (mengurangi lingkungan) |
| SiC含量/ konten SiC | > 99,96% |
| ituSi含量/ Konten Si gratis | < 0,1% |
| 体积密度/Kepadatan massal | 2,60-2,70 gram/cm3 |
| 气孔率/ Porositas nyata | < 16% |
| 抗压强度/ Kekuatan kompresi | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kekuatan lentur dingin | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Kekuatan lentur panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Ekspansi termal @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Konduktivitas termal @1200°C | 23W/m·K |
| 杨氏模量/ Modulus elastis | 240 IPK |
| 抗热震性/ Ketahanan guncangan termal | Sangat bagus |
Energi VET adalah ituprodusen nyata produk grafit dan silikon karbida khusus dengan lapisan CVD,dapat menyediakanbermacam-macamsuku cadang yang disesuaikan untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. Otim teknis Anda berasal dari lembaga penelitian domestik terkemuka, dapat memberikan solusi material yang lebih profesionaluntukmu.
Kami terus mengembangkan proses lanjutan untuk menyediakan materi yang lebih canggih,Dantelah mengembangkan teknologi eksklusif yang dipatenkan, yang dapat membuat ikatan antara lapisan dan substrat menjadi lebih erat dan tidak mudah terkelupas.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dasar CVD SiClapisan | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai Khas |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fase FCC β多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Kepadatan | 3,21 gram/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（beban 500g） |
| 晶粒大小 / Ukuran Butir | 2~10μm |
| 纯度 / Kemurnian Kimia | 99,99995% |
| 热容 / Kapasitas Panas | 640J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 titik |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalakuDaya konduksi | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Sangat menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami, mari berdiskusi lebih lanjut!
