Berita

Pengenalan GaN semikonduktor generasi ketiga dan teknologi epitaksi terkait
oleh admin pada 24-06-25
1. Semikonduktor generasi ketiga Teknologi semikonduktor generasi pertama dikembangkan berdasarkan bahan semikonduktor seperti Si dan Ge. Ini adalah bahan dasar pengembangan transistor dan teknologi sirkuit terpadu. Bahan semikonduktor generasi pertama meletakkan ...
Baca selengkapnya
Studi simulasi numerik pengaruh grafit berpori terhadap pertumbuhan kristal silikon karbida
oleh admin pada 24-06-18
Proses dasar pertumbuhan kristal SiC dibagi menjadi sublimasi dan dekomposisi bahan baku pada suhu tinggi, pengangkutan zat fase gas di bawah pengaruh gradien suhu, dan pertumbuhan rekristalisasi zat fase gas pada kristal benih. Berdasarkan hal tersebut,...
Baca selengkapnya
Jenis Grafit Khusus
oleh admin pada 24-06-17
Grafit khusus adalah bahan grafit dengan kemurnian tinggi, kepadatan tinggi, dan kekuatan tinggi serta memiliki ketahanan korosi yang sangat baik, stabilitas suhu tinggi, dan konduktivitas listrik yang besar. Itu terbuat dari grafit alami atau buatan setelah perlakuan panas suhu tinggi dan pemrosesan tekanan tinggi...
Baca selengkapnya
Analisis peralatan deposisi film tipis – prinsip dan aplikasi peralatan PECVD/LPCVD/ALD
oleh admin pada 24-06-12
Deposisi film tipis adalah melapisi lapisan film pada bahan substrat utama semikonduktor. Film ini dapat dibuat dari berbagai bahan, seperti senyawa isolasi silikon dioksida, polisilikon semikonduktor, logam tembaga, dll. Peralatan yang digunakan untuk pelapisan disebut deposisi film tipis...
Baca selengkapnya
Bahan penting yang menentukan kualitas pertumbuhan silikon monokristalin – medan termal
oleh admin pada 24-06-12
Proses pertumbuhan silikon monokristalin sepenuhnya dilakukan di medan termal. Medan termal yang baik kondusif untuk meningkatkan kualitas kristal dan memiliki efisiensi kristalisasi yang lebih tinggi. Desain medan termal sangat menentukan perubahan gradien suhu...
Baca selengkapnya
Apa kesulitan teknis tungku pertumbuhan kristal silikon karbida?
oleh admin pada 24-06-07
Tungku pertumbuhan kristal adalah peralatan inti untuk pertumbuhan kristal silikon karbida. Hal ini mirip dengan tungku pertumbuhan kristal kelas silikon kristal tradisional. Struktur tungku tidak terlalu rumit. Ini terutama terdiri dari badan tungku, sistem pemanas, mekanisme transmisi koil...
Baca selengkapnya
Apa cacat lapisan epitaksi silikon karbida
oleh admin pada 24-06-05
Teknologi inti untuk pertumbuhan material epitaksi SiC adalah yang pertama adalah teknologi pengendalian cacat, terutama untuk teknologi pengendalian cacat yang rentan terhadap kegagalan perangkat atau penurunan keandalan. Studi tentang mekanisme cacat substrat yang meluas ke epi...
Baca selengkapnya
Teknologi pertumbuhan butiran dan epitaksi teroksidasi-Ⅱ
oleh admin pada 24-05-30
3. Pertumbuhan film tipis epitaksi Substrat menyediakan lapisan pendukung fisik atau lapisan konduktif untuk perangkat daya Ga2O3. Lapisan penting berikutnya adalah lapisan saluran atau lapisan epitaksial yang digunakan untuk ketahanan tegangan dan transportasi pembawa. Untuk meningkatkan tegangan tembus dan meminimalkan konduksi...
Baca selengkapnya
Teknologi pertumbuhan kristal tunggal dan epitaksial Gallium oksida
oleh admin pada 24-05-30
Semikonduktor celah pita lebar (WBG) yang diwakili oleh silikon karbida (SiC) dan galium nitrida (GaN) telah mendapat perhatian luas. Masyarakat memiliki ekspektasi yang tinggi terhadap prospek penerapan silikon karbida pada kendaraan listrik dan jaringan listrik, serta prospek penerapan galium...
Baca selengkapnya