Apa itu lapisan sic?

Silikon Karbidaadalah senyawa keras yang mengandung silikon dan karbon, dan ditemukan di alam sebagai mineral moissanite yang sangat langka. Partikel silikon karbida dapat diikat menjadi satu melalui sintering untuk membentuk keramik yang sangat keras, yang banyak digunakan dalam aplikasi yang memerlukan daya tahan tinggi, terutama dalam proses semikonduktor.

Struktur fisik SiC

Apa itu Lapisan SiC?

Lapisan SiC adalah lapisan silikon karbida yang padat dan tahan aus dengan ketahanan korosi dan panas yang tinggi serta konduktivitas termal yang sangat baik. Lapisan SiC dengan kemurnian tinggi ini terutama digunakan dalam industri semikonduktor dan elektronik untuk melindungi pembawa wafer, basa, dan elemen pemanas dari lingkungan korosif dan reaktif. Lapisan SiC juga cocok untuk tungku vakum dan pemanasan sampel dalam lingkungan vakum tinggi, reaktif, dan oksigen.

Permukaan lapisan SiC dengan kemurnian tinggi

Bagaimana proses pelapisan SiC?

Lapisan tipis silikon karbida diendapkan pada permukaan substrat menggunakanCVD (Deposisi Uap Kimia). Deposisi biasanya dilakukan pada suhu 1200-1300°C dan perilaku ekspansi termal bahan substrat harus kompatibel dengan lapisan SiC untuk meminimalkan tekanan termal.

STRUKTUR KRISTAL FILM CVD SIC

STRUKTUR KRISTAL FILM Lapisan CVD SIC

Sifat fisik lapisan SiC terutama tercermin dalam ketahanan suhu tinggi, kekerasan, ketahanan korosi, dan konduktivitas termal.

Parameter fisik yang khas biasanya sebagai berikut:

Kekerasan: Lapisan SiC biasanya memiliki Kekerasan Vickers dalam kisaran 2000-2500 HV, yang memberikan ketahanan aus dan benturan yang sangat tinggi dalam aplikasi industri.

Kepadatan: Lapisan SiC biasanya memiliki kepadatan 3,1-3,2 g/cm³. Kepadatan yang tinggi berkontribusi terhadap kekuatan mekanik dan daya tahan lapisan.

Konduktivitas termal: Lapisan SiC memiliki konduktivitas termal yang tinggi, biasanya berkisar antara 120-200 W/mK (pada 20°C). Hal ini memberikan konduktivitas termal yang baik di lingkungan bersuhu tinggi dan membuatnya sangat cocok untuk peralatan perlakuan panas di industri semikonduktor.

Titik lebur: silikon karbida memiliki titik leleh sekitar 2730°C dan memiliki stabilitas termal yang sangat baik pada suhu ekstrim.

Koefisien Ekspansi Termal: Lapisan SiC memiliki koefisien muai panas linier (CTE) yang rendah, biasanya berkisar antara 4,0-4,5 µm/mK (dalam 25-1000℃). Ini berarti stabilitas dimensinya sangat baik terhadap perbedaan suhu yang besar.

Ketahanan korosi: Lapisan SiC sangat tahan terhadap korosi di lingkungan asam kuat, alkali dan pengoksidasi, terutama bila menggunakan asam kuat (seperti HF atau HCl), ketahanan korosinya jauh melebihi bahan logam konvensional.

Pelapis SiC dapat diaplikasikan pada bahan-bahan berikut:

Grafit isostatik dengan kemurnian tinggi (CTE rendah)
Tungsten
Molibdenum
Silikon Karbida
Silikon Nitrida
Komposit Karbon-Karbon (CFC)

Produk berlapis SiC biasanya digunakan di bidang berikut:

Produksi chip LED
Produksi polisilikon
Semikonduktorpertumbuhan kristal
Silikon danepitaksi SiC
Perlakuan panas dan etsa wafer

Mengapa memilih VET Energi?

VET Energy adalah produsen terkemuka, inovator dan pemimpin produk pelapisan SiC di Tiongkok, produk pelapisan SiC utama meliputipembawa wafer dengan lapisan SiC, dilapisi SiCreseptor epitaksial, Cincin grafit berlapis SiC, Bagian setengah bulan dengan lapisan SiC, Komposit karbon-karbon berlapis SiC, Perahu wafer berlapis SiC, Pemanas berlapis SiC, dll. VET Energy berkomitmen untuk menyediakan teknologi dan solusi produk terbaik bagi industri semikonduktor, dan mendukung layanan penyesuaian. Kami dengan tulus berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.