Barrel Susceptor Untuk LPE Epitaksi Fase Cair

Suseptor barel untuk LPE epitaksi fase cair

EPI (Epitaksi)adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor canggih. Ini melibatkan pengendapan lapisan tipis material pada substrat untuk membuat struktur perangkat yang kompleks. Susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI umumnya digunakan sebagai susceptor dalam reaktor EPI karena konduktivitas termalnya yang sangat baik dan ketahanan terhadap suhu tinggi. DenganLapisan CVD-SiC, menjadi lebih tahan terhadap kontaminasi, erosi, dan guncangan termal. Hal ini menghasilkan masa pakai susceptor yang lebih lama dan kualitas film yang lebih baik.

Keuntungan dari susceptor barel kami untuk LPE epitaksi fase cair:
Mengurangi Kontaminasi:Sifat inert SiC mencegah kotoran menempel pada permukaan suseptor, sehingga mengurangi risiko kontaminasi lapisan film yang diendapkan.
Peningkatan Ketahanan Erosi:SiC secara signifikan lebih tahan terhadap erosi dibandingkan grafit konvensional, sehingga umur suseptornya lebih lama.
Peningkatan Stabilitas Termal:SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat menahan suhu tinggi tanpa distorsi yang berarti.
Peningkatan Kualitas Film:Peningkatan stabilitas termal dan pengurangan kontaminasi menghasilkan film yang diendapkan dengan kualitas lebih tinggi dengan keseragaman dan kontrol ketebalan yang lebih baik.