Wafer GaA 4 Inci

Wafer GaAs 4 Inci dari VET Energy adalah bahan penting untuk perangkat berkecepatan tinggi dan optoelektronik, termasuk amplifier RF, LED, dan sel surya. Wafer ini dikenal karena mobilitas elektronnya yang tinggi dan kemampuannya untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi, menjadikannya komponen kunci dalam aplikasi semikonduktor tingkat lanjut. VET Energy memastikan wafer GaAs berkualitas tinggi dengan ketebalan seragam dan cacat minimal, cocok untuk berbagai proses fabrikasi yang menuntut.

Wafer GaAs 4 Inci ini kompatibel dengan berbagai bahan semikonduktor seperti Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, dan Substrat SiN, menjadikannya serbaguna untuk diintegrasikan ke dalam arsitektur perangkat yang berbeda. Baik digunakan untuk produksi Epi Wafer atau bersama material mutakhir seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan AlN Wafer, keduanya menawarkan landasan yang andal untuk elektronik generasi berikutnya. Selain itu, wafer ini sepenuhnya kompatibel dengan sistem penanganan berbasis Kaset, memastikan kelancaran operasional baik dalam lingkungan penelitian maupun manufaktur bervolume tinggi.

VET Energy menawarkan portofolio substrat semikonduktor yang komprehensif, termasuk Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, Gallium Oksida Ga2O3, dan Wafer AlN. Lini produk kami yang beragam memenuhi kebutuhan berbagai aplikasi elektronik, mulai dari elektronika daya hingga RF dan optoelektronik.

VET Energy menawarkan wafer GaA yang dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan spesifik Anda, termasuk tingkat doping, orientasi, dan penyelesaian permukaan yang berbeda. Tim ahli kami memberikan dukungan teknis dan layanan purna jual untuk memastikan kesuksesan Anda.