Wafer SiC Semi Isolasi 6 Inci

Deskripsi Singkat:

Wafer silikon karbida (SiC) semi-isolasi VET Energy 6 inci adalah substrat berkualitas tinggi yang ideal untuk berbagai aplikasi elektronika daya. VET Energy menggunakan teknik pertumbuhan canggih untuk menghasilkan wafer SiC dengan kualitas kristal luar biasa, kepadatan cacat rendah, dan resistivitas tinggi.


Detail Produk

Label Produk

Wafer SiC Semi Insulasi 6 Inci dari VET Energy adalah solusi canggih untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi, menawarkan konduktivitas termal dan isolasi listrik yang unggul. Wafer semi-isolasi ini sangat penting dalam pengembangan perangkat seperti amplifier RF, sakelar daya, dan komponen tegangan tinggi lainnya. VET Energy memastikan kualitas dan kinerja yang konsisten, menjadikan wafer ini ideal untuk berbagai proses fabrikasi semikonduktor.

Selain sifat isolasinya yang luar biasa, wafer SiC ini kompatibel dengan berbagai bahan termasuk Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, dan Wafer Epi, menjadikannya serbaguna untuk berbagai jenis proses manufaktur. Selain itu, material canggih seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan AlN Wafer dapat digunakan dalam kombinasi dengan wafer SiC ini, sehingga memberikan fleksibilitas yang lebih besar pada perangkat elektronik berdaya tinggi. Wafer dirancang untuk integrasi tanpa batas dengan sistem penanganan standar industri seperti sistem Kaset, memastikan kemudahan penggunaan dalam pengaturan produksi massal.

VET Energy menawarkan portofolio substrat semikonduktor yang komprehensif, termasuk Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, Gallium Oksida Ga2O3, dan Wafer AlN. Lini produk kami yang beragam memenuhi kebutuhan berbagai aplikasi elektronik, mulai dari elektronika daya hingga RF dan optoelektronik.

Wafer SiC semi-isolasi 6 inci menawarkan beberapa keunggulan:
Tegangan rusaknya tinggi: Celah pita SiC yang lebar memungkinkan tegangan rusaknya lebih tinggi, memungkinkan perangkat daya yang lebih ringkas dan efisien.
Pengoperasian suhu tinggi: Konduktivitas termal SiC yang sangat baik memungkinkan pengoperasian pada suhu yang lebih tinggi, sehingga meningkatkan keandalan perangkat.
Resistansi rendah: Perangkat SiC menunjukkan resistansi yang lebih rendah, mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi energi.

VET Energy menawarkan wafer SiC yang dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan spesifik Anda, termasuk ketebalan yang berbeda, tingkat doping, dan penyelesaian permukaan. Tim ahli kami memberikan dukungan teknis dan layanan purna jual untuk memastikan kesuksesan Anda.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TV(GBIR)

≤6um

≤6um

Busur (GF3YFCD) -Nilai Absolut

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Tepi Wafer

miring

PERMUKAAN SELESAI

*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Permukaan Selesai

Poles Optik sisi ganda, CMP Si-Wajah

Kekasaran Permukaan

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Wajah Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Wajah Ra≤0.2nm
C-Wajah Ra≤0.5nm

Keripik Tepi

Tidak Ada yang Diizinkan (panjang dan lebar≥0,5 mm)

Indentasi

Tidak Ada yang Diizinkan

Goresan (Si-Wajah)

Jumlah.≤5, Kumulatif
Panjang≤0,5×diameter wafer

Jumlah.≤5, Kumulatif
Panjang≤0,5×diameter wafer

Jumlah.≤5, Kumulatif
Panjang≤0,5×diameter wafer

Retak

Tidak Ada yang Diizinkan

Pengecualian Tepi

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!