Սիլիցիումի կարբիդը (SiC) նոր բաղադրյալ կիսահաղորդչային նյութ է: Սիլիցիումի կարբիդն ունի մեծ ժապավենային բաց (մոտ 3 անգամ սիլիցիում), բարձր կրիտիկական դաշտի ուժ (մոտ 10 անգամ սիլիցիում), բարձր ջերմային հաղորդունակություն (մոտ 3 անգամ սիլիցիում): Այն հաջորդ սերնդի կարևոր կիսահաղորդչային նյութ է: SiC ծածկույթները լայնորեն օգտագործվում են կիսահաղորդչային արդյունաբերության և արևային ֆոտոգալվանային համակարգերում: Մասնավորապես, LED-ների էպիտաքսիալ աճի և Si մեկ բյուրեղյա էպիտաքսիայի մեջ օգտագործվող ընկալիչները պահանջում են SiC ծածկույթի օգտագործում: Լուսավորման և ցուցադրման արդյունաբերության մեջ LED-ների ուժեղ աճի միտումի և կիսահաղորդչային արդյունաբերության ակտիվ զարգացման շնորհիվ,SiC ծածկույթի արտադրանքհեռանկարները շատ լավն են:
ԿԻՐԱՌՄԱՆ ԴԱՇՏ
Մաքրություն, SEM կառուցվածք, հաստության վերլուծությունSiC ծածկույթ
CVD-ի օգտագործմամբ գրաֆիտի վրա SiC ծածկույթների մաքրությունը կազմում է 99,9995%: Նրա կառուցվածքը fcc է: Գրաֆիտի վրա պատված SiC թաղանթները (111) ուղղված են, ինչպես ցույց է տրված XRD տվյալների մեջ (նկ. 1), ինչը ցույց է տալիս դրա բարձր բյուրեղային որակը: SiC թաղանթի հաստությունը շատ միատեսակ է, ինչպես ցույց է տրված Նկար 2-ում:
Նկար 2. գրաֆիտի վրա բետա-SiC թաղանթի SEM և XRD SiC թաղանթների հաստության համազգեստը
CVD SiC բարակ թաղանթի SEM տվյալները, բյուրեղի չափը 2~1 Opm է
CVD SiC ֆիլմի բյուրեղային կառուցվածքը դեմքի կենտրոնացված խորանարդ կառուցվածք է, և ֆիլմի աճի կողմնորոշումը մոտ է 100%
Սիլիցիումի կարբիդ (SiC) ծածկվածբազան լավագույն հիմքն է մեկ բյուրեղյա սիլիցիումի և GaN էպիտաքսիայի համար, որը էպիտաքսի վառարանի հիմնական բաղադրիչն է: Հիմքը խոշոր ինտեգրալ սխեմաների համար մոնոբյուրեղային սիլիցիումի հիմնական արտադրական աքսեսուարն է: Այն ունի բարձր մաքրություն, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրություն, կոռոզիոն դիմադրություն, լավ օդային խստություն և այլ հիանալի նյութական բնութագրեր:
Ապրանքի կիրառում և օգտագործում
Գրաֆիտային հիմքի ծածկույթ մեկ բյուրեղյա սիլիցիումի էպիտաքսիալ աճի համար Հարմար է Aixtron մեքենաների և այլնի համար Ծածկույթի հաստությունը՝ 90~150 մմ Վաֆլի խառնարանի տրամագիծը 55 մմ է:
Հրապարակման ժամանակը՝ Մար-14-2022