Սիլիցիումի կարբիդով պատված գրաֆիտային ենթաշերտ կիսահաղորդիչների համար, MOCVD ընկալիչ

SiC ծածկված ընկալիչների հիմնական առանձնահատկությունները.

1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.Դիմակայում է մինչև 1700℃ ջերմաստիճանին, ինչը հարմար է մշակման ծայրահեղ պայմանների համար:

2. Բարձր մաքրություն և ջերմային միատեսակություն.Ապահովում է հետևողական արդյունքներ, որոնք կենսական նշանակություն ունենMOCVD ընկալիչներև այլ ճշգրիտ կիրառություններ:

3. Գերազանց կոռոզիոն դիմադրություն.Դիմացկուն է թթուների, ալկալիների, աղի և տարբեր օրգանական ռեակտիվների նկատմամբ:

4. Ընդլայնված մակերեսային կարծրություն.Կոմպակտ մակերես նուրբ մասնիկներով, որոնք ապահովում են ավելի բարձր ամրություն և երկարակեցություն:

5. Երկարացված ծառայության ժամկետը.Նախագծված է կայուն կատարողականության համար, որը գերազանցում է ստանդարտ սիլիցիումի կարբիդով ծածկված ընկալիչները կոշտ մշակման միջավայրերում:

Որպես առաջատար արտադրող, VET Energy-ն մասնագիտացած է հարմարեցված գրաֆիտի ևսիլիցիումի կարբիդի արտադրանքծածկույթի տարբեր տարբերակներով, ներառյալSiC ծածկույթ, TaC ծածկույթ, ապակե ածխածնային ծածկույթ, և պիրոլիտիկ ածխածնային ծածկույթ: Մենք հպարտությամբ ծառայում ենք կիսահաղորդչային և ֆոտոգալվանային արդյունաբերությանը՝ մատուցելով սիլիցիումի կարբիդով ծածկված գրաֆիտի ընկալիչներ, որոնք բավարարում են հատուկ գործառնական պահանջները:

Մեր տեխնիկական թիմը, որն ունի տեղական լավագույն հետազոտական ​​հաստատությունների փորձը, նվիրված է զարգացող կարիքների համար նյութական լուծումների առաջխաղացմանը:SiC ծածկված գրաֆիտի ընկալիչշուկա. Մեր արտոնագրված գործընթացի միջոցով VET Energy-ն մշակել է եզակի տեխնոլոգիա, որը զգալիորեն բարելավում է կապի ամրությունը սիլիցիումի կարբիդի ծածկույթի և ենթաշերտի միջև՝ նվազեցնելով անջատվելու վտանգը և բարձրացնելով երկարաժամկետ հուսալիությունը: