-
4 milliárd! Az SK Hynix bejelenti a félvezető fejlett csomagolási beruházást a Purdue Research Parkban
West Lafayette, Indiana – Az SK hynix Inc. bejelentette, hogy közel 4 milliárd dollárt fektet be egy fejlett csomagolóanyag-gyártó és K+F létesítmény felépítésére mesterséges intelligencia-termékek számára a Purdue Research Parkban. Kulcsfontosságú láncszem létrehozása az amerikai félvezető-ellátási láncban West Lafayettben...Olvass tovább -
A lézeres technológia a szilícium-karbid szubsztrátum-feldolgozási technológia átalakításában vezet
1. A szilícium-karbid hordozó feldolgozási technológiájának áttekintése A jelenlegi szilícium-karbid hordozó feldolgozási lépései a következők: a külső kör csiszolása, szeletelése, letörés, csiszolás, polírozás, tisztítás stb. A szeletelés fontos lépés a félvezető hordozó pr...Olvass tovább -
Főáramú hőtér anyagok: C/C kompozit anyagok
A szén-szén kompozitok a szénszálas kompozitok egy fajtája, amelyekben a szénszál az erősítőanyag, a lerakódott szén pedig a mátrixanyag. A C/C kompozitok mátrixa szén. Mivel szinte teljes egészében elemi szénből áll, kiválóan ellenáll a magas hőmérsékletnek...Olvass tovább -
Három fő technika a SiC kristálynövekedéshez
A 3. ábrán látható módon három domináns technika létezik, amelyek célja a SiC egykristály kiváló minősége és hatékonysága: folyadékfázisú epitaxia (LPE), fizikai gőztranszport (PVT) és magas hőmérsékletű kémiai gőzleválasztás (HTCVD). A PVT egy jól bevált eljárás a SiC sin előállítására...Olvass tovább -
A harmadik generációs félvezető GaN és a kapcsolódó epitaxiális technológia rövid bemutatása
1. Harmadik generációs félvezetők Az első generációs félvezető technológiát olyan félvezető anyagok alapján fejlesztették ki, mint a Si és a Ge. Ez az anyagi alapja a tranzisztorok és az integrált áramköri technológia fejlesztésének. Az első generációs félvezető anyagok fektették le a...Olvass tovább -
23500000000 Suzhou szuper egyszarvú megy IPO
9 évnyi vállalkozói tevékenység után az Innoscience több mint 6 milliárd jüant gyűjtött össze a teljes finanszírozásban, az értékelés pedig elképesztően 23,5 milliárd jüant ért el. A befektetők listája olyan hosszú, mint több tucat cég: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Olvass tovább -
Hogyan javítják a tantál-karbiddal bevont termékek az anyagok korrózióállóságát?
A tantál-karbid bevonat egy általánosan használt felületkezelési technológia, amely jelentősen javíthatja az anyagok korrózióállóságát. A tantál-karbid bevonat különféle előkészítési módszerekkel rögzíthető az aljzat felületére, mint például kémiai gőzleválasztás, fizikai...Olvass tovább -
A harmadik generációs félvezető GaN és a kapcsolódó epitaxiális technológia bemutatása
1. Harmadik generációs félvezetők Az első generációs félvezető technológiát olyan félvezető anyagok alapján fejlesztették ki, mint a Si és a Ge. Ez az anyagi alapja a tranzisztorok és az integrált áramköri technológia fejlesztésének. Az első generációs félvezető anyagok a f...Olvass tovább -
Numerikus szimulációs vizsgálat a porózus grafit hatásáról a szilícium-karbid kristálynövekedésre
A SiC kristálynövekedés alapvető folyamata a nyersanyagok magas hőmérsékleten történő szublimációjára és lebontására, a gázfázisú anyagok hőmérsékleti gradiens hatására történő szállítására, valamint a gázfázisú anyagok átkristályosodási növekedésére oszlik a magkristálynál. Ez alapján a...Olvass tovább