Hír

Melyek a szilícium-karbid műszaki akadályai?Ⅱ
admin által 24-05-22-én
A stabil teljesítményű, kiváló minőségű szilícium-karbid lapkák stabil tömeggyártásának technikai nehézségei a következők: 1) Mivel a kristályoknak 2000 °C feletti magas hőmérsékletű, zárt környezetben kell növekedniük, a hőmérséklet-szabályozási követelmények rendkívül magasak; 2) Mivel a szilícium-karbid több...
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid műszaki akadályai?
admin által 24-05-22-én
A félvezető anyagok első generációját a hagyományos szilícium (Si) és germánium (Ge) képviseli, amelyek az integrált áramkör-gyártás alapját képezik. Széles körben használják alacsony feszültségű, alacsony frekvenciájú és kis teljesítményű tranzisztorokban és detektorokban. A félvezető termékek több mint 90%-a...
Olvass tovább
Hogyan készül a SiC mikropor?
admin által 24-05-13-án
A SiC egykristály a IV-IV csoportba tartozó összetett félvezető anyag, amely két elemből, Si és C-ből áll, 1:1 sztöchiometrikus arányban. Keménysége a gyémánt után a második. A szilícium-oxid szén-dioxid redukciós módszere a SiC előállításához főként a következő kémiai reakció képletén alapul...
Olvass tovább
Hogyan segítik az epitaxiális rétegek a félvezető eszközöket?
admin által 24-05-13-án
Az epitaxiális ostya elnevezés eredete Először is népszerűsítsünk egy kis koncepciót: az ostyakészítés két fő láncszemet foglal magában: a szubsztrátum előkészítést és az epitaxiális folyamatot. A hordozó egy félvezető egykristály anyagból készült ostya. A hordozó közvetlenül bejuthat az ostyagyártásba...
Olvass tovább
A kémiai gőzleválasztásos (CVD) vékonyréteg-leválasztási technológia bemutatása
az admintól 24-05-06
A Chemical Vapor Deposition (CVD) egy fontos vékonyréteg-leválasztási technológia, amelyet gyakran használnak különféle funkcionális filmek és vékonyrétegű anyagok előállítására, és széles körben használják a félvezetőgyártásban és más területeken. 1. A CVD működési elve A CVD eljárás során egy gázprekurzor (egy vagy több...
Olvass tovább
A „fekete arany” titka a fotovoltaikus félvezetőipar mögött: az izosztatikus grafit iránti vágy és függőség
az admintól 24-05-06
Az izosztatikus grafit nagyon fontos anyag a fotovoltaikában és a félvezetőkben. A hazai izosztatikus grafitgyártó cégek gyors felemelkedésével a külföldi vállalatok monopóliuma Kínában megtört. Folyamatos független kutatás-fejlesztéssel és technológiai áttörésekkel a ...
Olvass tovább
A grafit csónakok alapvető jellemzőinek bemutatása a félvezető kerámia gyártásban
admin által 24-04-22-én
A grafitcsónakok, más néven grafitcsónakok döntő szerepet játszanak a félvezető kerámiagyártás bonyolult folyamataiban. Ezek a speciális edények megbízható hordozóként szolgálnak a félvezető lapkákhoz a magas hőmérsékletű kezelések során, biztosítva a precíz és ellenőrzött feldolgozást. A...
Olvass tovább
A kemencecső berendezés belső felépítését részletesen ismertetjük
admin által 24-04-22-én
Amint fent látható, egy tipikus Az első fele: Fűtőelem (fűtőtekercs): a kemencecső körül található, általában ellenálláshuzalokból készül, és a kemencecső belsejének melegítésére szolgál. Kvarccső: forró oxidációs kemence magja, nagy tisztaságú kvarcból készült, amely ellenáll a magas...
Olvass tovább
A SiC szubsztrátum és az epitaxiális anyagok hatása a MOSFET készülék jellemzőire
az admintól 24-04-16
Háromszög-defektus A háromszög-defektusok a legvégzetesebb morfológiai hibák a SiC epitaxiális rétegekben. Számos irodalmi közlemény kimutatta, hogy a háromszög alakú hibák kialakulása összefügg a 3C kristályformával. Az eltérő növekedési mechanizmusok miatt azonban számos tr...
Olvass tovább