A VET Energy rendkívül nagy tisztaságúszilícium-karbid (SiC)kémiai gőzleválasztással keletkezik(CVD)mint a termesztés alapanyagaSiC kristályokfizikai gőzszállítással (PVT). A PVT-ben a forrásanyagot aolvasztótégelyés magkristályra szublimálták.
A kiváló minőségű gyártáshoz nagy tisztaságú forrás szükségesSiC kristályok.
A VET Energy arra specializálódott, hogy nagy részecskéket tartalmazó SiC-t biztosítson a PVT-hez, mivel nagyobb a sűrűsége, mint a Si- és C-tartalmú gázok spontán égésekor keletkező kisszemcsés anyag. Ellentétben a szilárd fázisú szintereléssel vagy a Si és C reakciójával, nincs szükség külön szinterelő kemencére vagy időigényes szinterezési lépésre a növekedési kemencében. Ennek a nagy szemcsés anyagnak közel állandó párolgási sebessége van, ami javítja a futás egyenletességét.
Bevezetés:
1. Készítse elő a CVD-SiC blokkforrást: Először is elő kell készítenie egy jó minőségű CVD-SiC blokkforrást, amely általában nagy tisztaságú és nagy sűrűségű. Ezt megfelelő reakciókörülmények között kémiai gőzleválasztással (CVD) lehet előállítani.
2. Szubsztrát előkészítés: Válasszon megfelelő szubsztrátot a SiC egykristály növekedéséhez. Az általánosan használt hordozóanyagok közé tartozik a szilícium-karbid, szilícium-nitrid stb., amelyek jól illeszkednek a növekvő SiC egykristályhoz.
3. Fűtés és szublimáció: Helyezze a CVD-SiC blokkforrást és a hordozót egy magas hőmérsékletű kemencébe, és biztosítson megfelelő szublimációs feltételeket. A szublimáció azt jelenti, hogy magas hőmérsékleten a blokkforrás közvetlenül szilárd halmazállapotból gőz halmazállapotúvá változik, majd újra kondenzálódik a szubsztrátum felületén, és egy kristályt képez.
4. Hőmérsékletszabályozás: A szublimációs folyamat során a hőmérséklet gradienst és a hőmérséklet-eloszlást pontosan szabályozni kell, hogy elősegítse a blokkforrás szublimációját és az egykristályok növekedését. A megfelelő hőmérséklet-szabályozással ideális kristályminőség és növekedési sebesség érhető el.
5. Légkör szabályozás: A szublimációs folyamat során a reakció légkörét is ellenőrizni kell. A nagy tisztaságú inert gázt (például az argont) általában vivőgázként használják a megfelelő nyomás és tisztaság fenntartására, valamint a szennyeződésekkel való szennyeződés megelőzésére.
6. Egykristálynövekedés: A CVD-SiC blokkforrás gőzfázisú átalakuláson megy keresztül a szublimációs folyamat során, és újrakondenzálódik a szubsztrátum felületén, így egykristályos szerkezet alakul ki. A SiC egykristályok gyors növekedése megfelelő szublimációs feltételekkel és hőmérséklet-gradiens szabályozással érhető el.
Szeretettel üdvözöljük, hogy látogassa meg gyárunkat, beszéljünk tovább!
