Nagy tisztaságú 8 hüvelykes szilícium ostya

Rövid leírás:

A VET Energy nagy tisztaságú, 8 hüvelykes szilícium lapkái ideális választást jelentenek a félvezetőgyártáshoz. A fejlett technológiával készült ostyák kiváló kristályminőséggel és felületi síksággal rendelkeznek, így különféle mikroelektronikai eszközök gyártására alkalmasak.

Küldjön e-mailt nekünk Letöltés PDF formátumban

Termék részletek

Termékcímkék

A VET Energy 8 hüvelykes szilícium lapkáit széles körben használják teljesítményelektronikában, érzékelőkben, integrált áramkörökben és más területeken. A félvezetőipar vezető szereplőjeként elkötelezettek vagyunk amellett, hogy kiváló minőségű Si Wafer termékeket kínáljunk ügyfeleink növekvő igényeinek kielégítésére.

A Si Wafer mellett a VET Energy félvezető hordozóanyagok széles skáláját kínálja, beleértve a SiC szubsztrátumot, SOI Wafert, SiN szubsztrátumot, Epi Wafert stb. Wafer, amely erős támogatást nyújt a következő generációs teljesítményelektronikai eszközök fejlesztéséhez.

A VET Energy fejlett gyártóberendezésekkel és teljes minőségirányítási rendszerrel rendelkezik, amely biztosítja, hogy minden lapka megfeleljen a szigorú iparági szabványoknak. Termékeink nemcsak kiváló elektromos tulajdonságokkal rendelkeznek, hanem jó mechanikai szilárdsággal és termikus stabilitással is rendelkeznek.

A VET Energy személyre szabott ostyamegoldásokat kínál ügyfeleinek, beleértve a különböző méretű, típusú és adalékkoncentrációjú ostyákat. Ezenkívül professzionális műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást is biztosítunk, hogy segítsünk ügyfeleinknek a gyártási folyamat során felmerülő különféle problémák megoldásában.

WAVERING ELŐÍRÁSAI

*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő

Tétel	8 hüvelykes	6 hüvelykes			4 hüvelykes
Tétel	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 um	≤6 um
Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték	≤15μm	≤15μm	≤25 μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25 μm	≤25 μm	≤40 μm		≤25 μm
LTV (SBIR)-10mmx10mm	<2 μm
Wafer Edge	Ferde vágás

FELÜLETKEZELÉS

*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő

Tétel	8 hüvelykes	6 hüvelykes			4 hüvelykes
	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
Felületi kidolgozás	Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP
Felületi érdesség	(10 x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm C-Face Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Edge Chips	Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm)
Behúzások	Egyik sem Engedélyezett
Karcolások (Si-Face)	Menny.≤5, kumulatív Hossz ≤0,5× ostyaátmérő	Menny.≤5, kumulatív Hossz ≤0,5× ostyaátmérő			Menny.≤5, kumulatív Hossz ≤0,5× ostyaátmérő
Repedések	Egyik sem Engedélyezett
Élek kizárása	3 mm