Silisyòm Carbide SSIC RBSIC SiC Tib Silisyòm Tib

Deskripsyon kout:

Karbid Silisyòm sintered san presyon (SSIC)se pwodwi lè l sèvi avèk poud SiC trè byen ki gen aditif SINTERING. Li trete lè l sèvi avèk metòd fòme tipik pou lòt seramik ak sintered nan 2,000 a 2,200 ° C nan yon atmosfè gaz inaktif. Ansanm ak vèsyon amann grenn, ak gwosè grenn < 5 um, vèsyon koryas-grenn ak gwosè grenn jiska 1.5. mm ki disponib

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Silisyòm Carbide SSIC RBSIC SiC Tib Silisyòm Tib

SSIC distenge pa gwo fòs ki rete prèske konstan jiska tanperati trè wo (apeprè 1,600 ° C), kenbe fòs sa a pandan peryòd tan!

Avantaj pwodwi:

Rezistans oksidasyon tanperati ki wo

Ekselan rezistans korozyon

Bon rezistans abrasion

Segondè koyefisyan konduktiviti chalè
Oto-lubricity, dansite ki ba
Segondè dite
Konsepsyon Customized.

Pwopriyete teknik:

Atik	Inite	Done
Dite	HS	≥110
Pousantaj Porosite	%	<0.3
Dansite	g/cm3	3.10-3.15
Konpresif	MPa	> 2200
Fòs Fraktur	MPa	> 350
Koyefisyan ekspansyon	10/°C	4.0
Kontni Sic	%	≥99
Konduktivite tèmik	W/mk	> 120
Modil elastik	GPa	≥400
Tanperati	°C	1380