समाचार

अर्धचालक क्षेत्र में सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक का अनुप्रयोग
24-10-10 को एडमिन द्वारा
फोटोलिथोग्राफी मशीनों के सटीक भागों के लिए पसंदीदा सामग्री सेमीकंडक्टर क्षेत्र में, सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक सामग्री मुख्य रूप से एकीकृत सर्किट निर्माण के लिए प्रमुख उपकरणों में उपयोग की जाती है, जैसे सिलिकॉन कार्बाइड वर्कटेबल, गाइड रेल, रिफ्लेक्टर, सिरेमिक सक्शन चक, हथियार, जी...
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0एकल क्रिस्टल भट्टी की छह प्रणालियाँ क्या हैं?
24-09-23 को व्यवस्थापक द्वारा
एकल क्रिस्टल भट्ठी एक ऐसा उपकरण है जो अक्रिय गैस (आर्गन) वातावरण में पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन सामग्री को पिघलाने के लिए ग्रेफाइट हीटर का उपयोग करता है और गैर-विस्थापित एकल क्रिस्टल को विकसित करने के लिए Czochralski विधि का उपयोग करता है। यह मुख्य रूप से निम्नलिखित प्रणालियों से बना है: यांत्रिक...
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हमें एकल क्रिस्टल भट्टी के तापीय क्षेत्र में ग्रेफाइट की आवश्यकता क्यों है?
24-09-23 को व्यवस्थापक द्वारा
ऊर्ध्वाधर एकल क्रिस्टल भट्टी की तापीय प्रणाली को तापीय क्षेत्र भी कहा जाता है। ग्रेफाइट थर्मल फील्ड सिस्टम का कार्य सिलिकॉन सामग्री को पिघलाने और एकल क्रिस्टल विकास को एक निश्चित तापमान पर रखने की पूरी प्रणाली को संदर्भित करता है। सीधे शब्दों में कहें तो यह पूरी तरह से बकवास है...
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पावर सेमीकंडक्टर वेफर कटिंग के लिए कई प्रकार की प्रक्रियाएँ
24-09-20 को व्यवस्थापक द्वारा
वेफर कटिंग विद्युत अर्धचालक उत्पादन में महत्वपूर्ण कड़ियों में से एक है। यह चरण सेमीकंडक्टर वेफर्स से व्यक्तिगत एकीकृत सर्किट या चिप्स को सटीक रूप से अलग करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। वेफर कटिंग की कुंजी यह सुनिश्चित करते हुए अलग-अलग चिप्स को अलग करने में सक्षम होना है कि नाजुक संरचना...
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बीसीडी प्रक्रिया
24-09-18 को व्यवस्थापक द्वारा
बीसीडी प्रक्रिया क्या है? बीसीडी प्रक्रिया एक एकल-चिप एकीकृत प्रक्रिया तकनीक है जिसे पहली बार 1986 में एसटी द्वारा पेश किया गया था। यह तकनीक एक ही चिप पर द्विध्रुवी, सीएमओएस और डीएमओएस डिवाइस बना सकती है। इसकी उपस्थिति चिप के क्षेत्र को बहुत कम कर देती है। यह कहा जा सकता है कि बीसीडी प्रक्रिया पूरी तरह से इसका उपयोग करती है...
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BJT, CMOS, DMOS और अन्य अर्धचालक प्रक्रिया प्रौद्योगिकियाँ
24-09-10 को व्यवस्थापक द्वारा
उत्पाद जानकारी और परामर्श के लिए हमारी वेबसाइट पर आपका स्वागत है। हमारी वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ जैसे-जैसे सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रियाओं में लगातार प्रगति हो रही है, "मूर का नियम" नामक एक प्रसिद्ध कथन उद्योग में प्रसारित हो रहा है। यह प...
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सेमीकंडक्टर पैटर्निंग प्रक्रिया प्रवाह-नक़्क़ाशी
24-09-10 को व्यवस्थापक द्वारा
प्रारंभिक गीली नक़्क़ाशी ने सफाई या राख बनाने की प्रक्रियाओं के विकास को बढ़ावा दिया। आज, प्लाज़्मा का उपयोग करके सूखी नक़्क़ाशी मुख्यधारा की नक़्क़ाशी प्रक्रिया बन गई है। प्लाज्मा में इलेक्ट्रॉन, धनायन और रेडिकल होते हैं। प्लाज्मा पर लागू ऊर्जा प्लाज्मा के सबसे बाहरी इलेक्ट्रॉनों का कारण बनती है...
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8-इंच SiC एपिटैक्सियल भट्टी और होमियोएपिटैक्सियल प्रक्रिया-Ⅱ पर अनुसंधान
24-09-04 को व्यवस्थापक द्वारा
2 प्रायोगिक परिणाम और चर्चा 2.1 एपिटैक्सियल परत की मोटाई और एकरूपता एपिटैक्सियल परत की मोटाई, डोपिंग एकाग्रता और एकरूपता एपिटैक्सियल वेफर्स की गुणवत्ता का आकलन करने के लिए मुख्य संकेतकों में से एक हैं। सटीक रूप से नियंत्रणीय मोटाई, डोपिंग सह...
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8-इंच SiC एपिटैक्सियल भट्टी और होमियोएपिटैक्सियल प्रक्रिया-Ⅰ पर अनुसंधान
24-09-04 को व्यवस्थापक द्वारा
वर्तमान में, SiC उद्योग 150 मिमी (6 इंच) से 200 मिमी (8 इंच) में परिवर्तित हो रहा है। उद्योग में बड़े आकार, उच्च गुणवत्ता वाले SiC होमोएपिटैक्सियल वेफर्स की तत्काल मांग को पूरा करने के लिए, 150 मिमी और 200 मिमी 4H-SiC होमोएपिटैक्सियल वेफर्स सफलतापूर्वक तैयार किए गए...
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