आवेदन क्षेत्र
उत्पाद अनुप्रयोग और प्रदर्शन उत्पाद अनुप्रयोग और उपयोग
Si एकल क्रिस्टल उद्योग, GaN, AlN, नीलमणि और अन्य MOCVD पेडस्टल्स। -सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए ग्रेफाइट बेस कोटिंग
मुख्य प्रदर्शन: उच्च शुद्धता, क्षरण प्रतिरोध, उच्च तापीय चालकता, - MOCVD प्रक्रिया, GaN एपिटैक्सियल विकास के लिए ग्रेफाइट बेस कोटिंग
उच्च तापमान प्रतिरोध, कम तापीय विस्तार गुणांक।
| ऊष्मीय चालकता | 250 डब्लू/एम डिग्रीके | लेजर फ्लैश विधि, आरटी |
| थर्मल विस्तार (सीटीई) | 4.5 x 10-6°के | कमरे का तापमान 950 डिग्री सेल्सियस तक, सिलिका डिलेटोमीटर |
| संपत्ति | कीमत | तरीका |
| घनत्व | 3.21 ग्राम/सीसी | सिंक-फ्लोट और आयाम |
| विशिष्ट ऊष्मा | 0.66 जे/जी डिग्रीके | स्पंदित लेजर फ़्लैश |
| आनमनी सार्मथ्य | 450 एमपीए560 एमपीए | 4 पॉइंट बेंड, RT4 पॉइंट बेंड, 1300° |
| अस्थिभंग बेरहमी | 2.94 एमपीए एम1/2 | माइक्रोइंडेंटेशन |
| कठोरता | 2800 | विकर, 500 ग्राम भार |
| इलास्टिक मापांकयुवा मापांक | 450 जीपीए430 जीपीए | 4 पीटी मोड़, आरटी4 पीटी मोड़, 1300 डिग्री सेल्सियस |
| अनाज आकार | 2 - 10 µm | एसईएम |
शुद्धता, एसईएम संरचना, मोटाई का विश्लेषणSiC कोटिंग
सीवीडी का उपयोग करके ग्रेफाइट पर SiC कोटिंग्स की शुद्धता 99.9995% तक है। इसकी संरचना एफसीसी है. ग्रेफाइट पर लेपित SiC फिल्में (111) उन्मुख हैं जैसा कि एक्सआरडी डेटा (चित्र 1) में दिखाया गया है जो इसकी उच्च क्रिस्टलीय गुणवत्ता को दर्शाता है। जैसा कि चित्र 2 में दिखाया गया है, SiC फिल्म की मोटाई बहुत एक समान है।
चित्र 2: SiC फिल्मों की मोटाई एक समान
सीवीडी सीआईसी फिल्म की क्रिस्टल संरचना एक चेहरा-केंद्रित घन संरचना है, और फिल्म विकास अभिविन्यास 100% के करीब है 
ग्रेफाइट पर बीटा-SiC फिल्म का SEM और XRD
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन एपीटैक्सियल बेस
उत्पाद प्रदर्शन और अनुप्रयोग संभावनाएँ।
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपितबेस सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन और GaN एपिटैक्सी के लिए सबसे अच्छा आधार है, जो एपिटैक्सी फर्नेस का मुख्य घटक है। आधार बड़े एकीकृत सर्किट के लिए मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के लिए एक प्रमुख उत्पादन सहायक है। इसमें उच्च शुद्धता, उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, अच्छी वायु जकड़न और अन्य उत्कृष्ट सामग्री विशेषताएं हैं।
उत्पाद अनुप्रयोग और उपयोग
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए ग्रेफाइट बेस कोटिंग, एक्सट्रॉन मशीनों आदि के लिए उपयुक्त, कोटिंग की मोटाई: 90~150um, वेफर क्रेटर का व्यास 55 मिमी है।
सौर फोटोवोल्टिक
GAupidpelitcubetiaonnd
ग्रेफाइट क्रूसिबल कोटिंगस्ट्रेट-पुल विधि द्वारा एकल क्रिस्टल सिलिकॉन के लिए
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पैकेजिंग विवरण
पूछे जाने वाले प्रश्न
हां, हमें सभी अंतरराष्ट्रीय ऑर्डरों के लिए न्यूनतम ऑर्डर मात्रा चालू रखने की आवश्यकता है।
हाँ, हम विश्लेषण/अनुरूपता के प्रमाणपत्र सहित अधिकांश दस्तावेज़ प्रदान कर सकते हैं; बीमा; उत्पत्ति, और अन्य निर्यात दस्तावेज़ जहां आवश्यक हों।
नमूनों के लिए, लीड समय लगभग 7 दिन है। बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए, जमा भुगतान प्राप्त करने के बाद लीड समय 15-25 दिन है। लीड समय तब प्रभावी हो जाता है जब हमें आपकी जमा राशि प्राप्त हो जाती है, और हमारे पास आपके उत्पादों के लिए आपकी अंतिम स्वीकृति होती है। सभी मामलों में हम आपकी आवश्यकताओं को पूरा करने का प्रयास करेंगे। अधिकांश मामलों में हम ऐसा करने में सक्षम हैं।
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