SiC કોટેડ સસેટપોર એ વિવિધ સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓમાં વપરાતો મુખ્ય ઘટક છે.અમે અત્યંત ઉચ્ચ શુદ્ધતા, સારી કોટિંગ એકરૂપતા અને ઉત્તમ સેવા જીવન તેમજ ઉચ્ચ રાસાયણિક પ્રતિકાર અને થર્મલ સ્થિરતા ગુણધર્મો સાથે SiC કોટેડ સસેટપોર બનાવવા માટે અમારી પેટન્ટ ટેક્નોલોજીનો ઉપયોગ કરીએ છીએ.
અમારા ઉત્પાદનોની વિશેષતાઓ:
1. 1700℃ સુધી ઉચ્ચ તાપમાન ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર.
2. ઉચ્ચ શુદ્ધતા અને થર્મલ એકરૂપતા
3. ઉત્તમ કાટ પ્રતિકાર: એસિડ, આલ્કલી, મીઠું અને કાર્બનિક રીએજન્ટ્સ.
4. ઉચ્ચ કઠિનતા, કોમ્પેક્ટ સપાટી, દંડ કણો.
5. લાંબા સમય સુધી સેવા જીવન અને વધુ ટકાઉ
| સીવીડી SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ના મૂળભૂત ભૌતિક ગુણધર્મોકોટિંગ | |
| 性质 / મિલકત | 典型数值 / લાક્ષણિક મૂલ્ય |
| 晶体结构 / ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર | FCC β તબક્કો多晶, 主要为 (111）取向 |
| 密度 / ઘનતા | 3.21 ગ્રામ/સેમી³ |
| 硬度 / કઠિનતા | 2500 维氏硬度（500g લોડ） |
| 晶粒大小 / અનાજ કદ | 2~10μm |
| 纯度 / રાસાયણિક શુદ્ધતા | 99.99995% |
| 热容 / ગરમીની ક્ષમતા | 640 J·kg-1· કે-1 |
| 升华温度 / સબલાઈમેશન તાપમાન | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ફ્લેક્સરલ સ્ટ્રેન્થ | 415 MPa RT 4-પોઇન્ટ |
| 杨氏模量 / યંગનું મોડ્યુલસ | 430 Gpa 4pt બેન્ડ, 1300℃ |
| 导热系数 / થર્માlવાહકતા | 300W·m-1· કે-1 |
| 热膨胀系数 / થર્મલ વિસ્તરણ(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
અમારી ફેક્ટરીની મુલાકાત લેવા માટે તમારું હાર્દિક સ્વાગત છે, ચાલો વધુ ચર્ચા કરીએ!
