A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas de silicio. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluíndo substrato SiC, oblea SOI, substrato SiN, oblea Epi, etc., así como novos materiais semicondutores de banda ampla como o óxido de galio Ga2O3 e oblea de AlN. Estes produtos poden satisfacer as necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores e outros campos.
Campos de aplicación:
•Circuítos integrados:Como material básico para a fabricación de circuítos integrados, as obleas de silicio de tipo P úsanse amplamente en varios circuítos lóxicos, memorias, etc.
•Dispositivos de alimentación:As obleas de silicio de tipo P pódense usar para fabricar dispositivos de potencia como transistores e díodos de potencia.
•Sensores:As obleas de silicio tipo P pódense usar para facer varios tipos de sensores, como sensores de presión, sensores de temperatura, etc.
•Células solares:As obleas de silicio de tipo P son un compoñente importante das células solares.
VET Energy ofrece aos clientes solucións de obleas personalizadas e pode personalizar obleas con diferente resistividade, diferente contido de osíxeno, diferente grosor e outras especificacións segundo as necesidades específicas dos clientes. Ademais, tamén ofrecemos soporte técnico profesional e servizo posvenda para axudar aos clientes a resolver varios problemas atopados no proceso de produción.
ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA
*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante
Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm | ≤ 15 μm | |
Deformación (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
Borde de oblea | Biselado |
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante
Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
Acabado superficial | Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP | ||||
Rugosidade superficial | (10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips de borde | Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm) | ||||
sangrías | Ningún permitido | ||||
Arañazos (Si-face) | Cant.≤5,Acumulativo | Cant.≤5,Acumulativo | Cant.≤5,Acumulativo | ||
Gretas | Ningún permitido | ||||
Exclusión de borde | 3 mm |