GaN Epitaxy stèidhichte air silicon

Tuairisgeul goirid:


  • Àite Tùs:Sìona
  • Structar Crystal:Ìre FCCβ
  • Dùmhlachd:3.21 g / cm
  • cruas:2500 Vickers
  • Meud gràin:2 ~ 10 m
  • Purity ceimigeach:99.99995%
  • Comas teas:640J·kg-1·K-1
  • Teòthachd sublimation:2700 ℃
  • Neart Felexural:415 Mpa (RT 4-Point)
  • Modulus Young:430 Gpa (lùb 4pt, 1300 ℃)
  • Leudachadh teirmeach (CTE):4.5 10-6K-1
  • Gluasad teirmeach:300 (W/mK)
  • Mion-fhiosrachadh toraidh

    Bathar Tags

    Tuairisgeul toraidh

    Bidh a ’chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC.

    Prìomh fheartan:

    1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh:

    tha an aghaidh oxidation fhathast fìor mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.

    2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh bhalbhaichean ceimigeach fo chumhachan clorination àrd teòthachd.

    3. Cur an aghaidh bleith: cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.

    4. Frith-chreimeadh: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.

    Prìomh Shònrachaidhean de CVD-SIC Coating

    Feartan SiC-CVD

    Structar Crystal FCC β ìre
    Dùmhlachd g/cm³ 3.21
    cruas Vickers cruas 2500
    Meud gràin μm 2~10
    Purity Ceimigeach % 99.99995
    Comas teas J·kg-1 ·K-1 640
    Teòthachd sublimation 2700
    Neart Felexural MPa (RT 4-puing) 415
    Modulus Young Gpa (lùb 4pt, 1300 ℃) 430
    Leudachadh teirmeach (CTE) 10-6K-1 4.5
    Giùlan teirmeach (W/mK) 300

     

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Roimhe:
  • Air adhart:

  • Còmhradh WhatsApp air-loidhne!