Substrate Graphite còmhdaichte le Silicon Carbide airson Semiconductor, Susceptor MOCVD

Substrate Graphite còmhdaichte le Silicon Carbide airson Semiconductor, MOCVD Susceptor Ìomhaigh sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Is e toradh àrd-choileanaidh a th’ ann an VET Energy SiC Coated Susceptor a chaidh a dhealbhadh gus coileanadh cunbhalach agus earbsach a thoirt seachad thar ùine leudaichte. Tha neart teas fìor mhath aige agus èideadh teirmeach, fìor-ghlanachd, strì an aghaidh bleith, ga fhàgail na fhuasgladh foirfe airson tagraidhean giollachd wafer.

Àite Tùs:Zhejiang, Sìona (Tìr-mòr)

Àireamh Modail:Àireamh Modail:

Dèanamh ceimigeach:Graphite còmhdaichte le SiC

Neart sùbailteach:470 Mpa

Gluasad teirmeach:300 W/mK

Càileachd:foirfe

Gnìomh:CVD-SiC

Iarrtas:Semiconductor / Photovoltaic

Dùmhlachd:3.21 g/cc

Leudachadh teirmeach:4 10-6/K

Ash: <5ppm

Sampall:Ri fhaotainn

Còd HS:6903100000

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Susceptor còmhdaichte le còmhdach VET Energy SiCna fhuasgladh àrd-choileanaidh air a dhealbhadh gu faiceallach gus coileanadh earbsach, cunbhalach a lìbhrigeadh thar beatha leudaichte, a’ coinneachadh ri iarrtasan cruaidh saothrachadh semiconductor. Le strì an aghaidh teas air leth, èideadh teirmeach nas fheàrr, agus fìor-ghlanachd, tha an toradh seo air leth freagarrach airson luchd-giùlan wafer MOCVD agus tagraidhean giollachd wafer eile a dh’ fheumas seasmhachd agus mionaideachd. Tha an aghaidh bleith làidir ga fhàgail na phrìomh roghainn airson àrainneachdan far a bheil seasmhachd agus seasmhachd ceimigeach riatanach.

Tha arSusceptor Graphite Coated SiCa’ seasamh mar phàirt riatanach den phròiseas saothrachaidh semiconductor, a’ faighinn buannachd bho theicneòlas peutant sònraichte VET Energy gus purrachd fìor àrd, èideadh còmhdach nas fheàrr, agus seasmhachd teirmeach iongantach a choileanadh. Bidh an còmhdach ag adhartachadh an t-substrate grafait le neart ceimigeach àrd agus beatha seirbheis leudaichte gu mòr. Tha dealas VET Energy a thaobh càileachd air leantainn gu suidse le còmhdach SiC a choinnicheas ri feumalachdan mean-fhàs a’ mhargaidh giùlan wafer grafait, a’ suidheachadh ìre àrd airson luchd-gabhail grafait còmhdaichte le SiC a thathas a’ cleachdadh ann anPròiseasan MOCVD.

Prìomh fheartan luchd-gabhail còmhdaichte le SiC:

1. Àrd-Teòthachd Oxidation Resistance:Seas suas teòthachd suas gu 1700 ℃, ga dhèanamh freagarrach airson fìor shuidheachaidhean giollachd.

2. Àrd Purity agus Teirmeach èideadh:A 'dèanamh cinnteach à toraidhean cunbhalach, deatamach airsonLuchd-gabhail MOCVDagus tagraidhean mionaideach eile.

3. Sàr-aghaidh creimeadh:Seasmhach an aghaidh searbhag, alkali, salann, agus diofar ath-bheachdan organach.

4. Cruas uachdar leasaichte:Uachdar teann le mìrean grinn a bheir seachad seasmhachd agus fad-beatha nas àirde.

5. Beatha seirbheis leudaichte:Air a innleachadh airson coileanadh seasmhach, a’ coileanadh nas fheàrr na suaicheantais àbhaisteach còmhdaichte le carbide silicon ann an àrainneachdan giullachd cruaidh.

Mar phrìomh neach-dèanamh, tha VET Energy a’ speisealachadh ann an grafait gnàthaichte agusbathar silicon carbidele diofar roghainnean còmhdach, a’ gabhail a-steachcòmhdach SiC, còmhdach TaC, còmhdach glainne glainne, agus còmhdach gualain pyrolytic. Tha sinn gu pròiseil a’ toirt seirbheis do na gnìomhachasan leth-chonnsair agus photovoltaic, a’ lìbhrigeadh suaicheantais grafait còmhdaichte le carbide sileaconach a choinnicheas ri iarrtasan obrachaidh sònraichte.

Tha an sgioba teignigeach againn, le eòlas bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, gu sònraichte airson fuasglaidhean stuthan adhartachadh airson feumalachdan mean-fhàsSusceptor grafait còmhdaichte le SiCmhargaidh. Tron phròiseas peutant againn, tha VET Energy air teicneòlas gun samhail a leasachadh a leasaicheas gu mòr an neart ceangail eadar an còmhdach silicon carbide agus an t-substrate, a ’lughdachadh cunnart dealachadh agus ag àrdachadh earbsachd fad-ùine.

Cleachdaidhean agus Buannachdan ann an Giullachd Semiconductor

Tha anCòmhdach SiC airson MOCVDcomasachadhsusceptor grafaitgus ionracas a chumail fo àrainneachdan àrd-teòthachd agus creimneach, a tha deatamach airson cinneasachadh semiconductor mionaideach. Thathas gu sònraichte a’ cur luach air na co-phàirtean grafait còmhdaichte SiC seo ann am pròiseasan a dh’ fheumas luchd-gabhail còmhdaichte le silicon carbide airsonluchd-giùlan wafer grafait, a tha ag iarraidh seasmhachd teirmeach àrd, purrachd, agus strì an aghaidh bleith cheimigeach.

Leis na dòighean adhartach againn airson còmhdach carbide silicon, tha VET Energy a’ leantainn air adhart a’ toirt taic don mhargaidh giùlan wafer grafait le bhith a’ lìbhrigeadh àrd-choileanadh gnàthaichteSuidhichear grafait còmhdaichte le SiCa tha a’ dèiligeadh ri dùbhlain a tha sònraichte don ghnìomhachas, bho phròiseasan MOCVD gu tagraidhean fìor-ghlan anns an raon leth-chonnsair.