SiC coated suscetpor is in kaai komponint brûkt yn ferskate semiconductor manufacturing prosessen. Wy brûke ús patintearre technology om de SiC-coated suscetpor te meitsjen mei ekstreem hege suverens, goede coatinguniformiteit en in poerbêste servicelibben, lykas hege gemyske ferset en thermyske stabiliteitseigenskippen.
Eigenskippen fan ús produkten:
1. Hege temperatuer oksidaasjebestriding oant 1700 ℃.
2. Hege suverens en thermyske uniformiteit
3. Excellent corrosie ferset: soere, alkali, sâlt en organyske reagents.
4. Hege hurdens, kompakt oerflak, fyn dieltsjes.
5. Langere libbensdoer en duorsumer
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis fysike eigenskippen fan CVD SiCcoating | |
| 性质 / Eigenskip | 典型数值 / Typyske Wearde |
| 晶体结构 / Crystal Struktuer | FCC β faze多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tichtheid | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hurdens | 2500 维氏硬度（500g lading） |
| 晶粒大小 / Grain Grutte | 2~10μm |
| 纯度 / Chemical Purity | 99.99995% |
| 热容 / Heat Kapasiteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimation Temperatur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4-punt |
| 杨氏模量 / Jongens Modulus | 430 Gpa 4pt bocht, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Fan herte wolkom om ús fabryk te besykjen, litte wy fierdere diskusje hawwe!
