De produktline fan VET Energy is net beheind ta GaN op SiC-wafers. Wy jouwe ek in breed oanbod fan semiconductor substraat materialen, ynklusyf Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ensfh Dêrneist binne wy ek aktyf ûntwikkeljen nije breed bandgap semiconductor materialen, lykas Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, om te foldwaan oan 'e fraach fan' e takomstige machtelektronika-yndustry nei apparaten mei hegere prestaasjes.
VET Energy leveret fleksibele oanpassingstsjinsten, en kin GaN epitaksiale lagen fan ferskate dikten, ferskillende soarten doping, en ferskillende wafergrutte oanpasse neffens de spesifike behoeften fan klanten. Dêrnjonken jouwe wy ek profesjonele technyske stipe en tsjinst nei ferkeap om klanten te helpen fluch te ûntwikkeljen fan hege-optreden elektroanyske apparaten.
WAFERING SPESIFIKASJES
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-isolearjend
Ûnderdiel | 8-ynch | 6-ynch | 4-ynch | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolute wearde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-isolearjend
Ûnderdiel | 8-ynch | 6-ynch | 4-ynch | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Oerflak Finish | Dûbele side Optical Poalsk, Si- Face CMP | ||||
Oerflak Roughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Gjin tastien (lingte en breedte≥0.5mm) | ||||
Ynspringen | Gjin tastien | ||||
Krassen (Si-Face) | Oantal.≤5, kumulatyf | Oantal.≤5, kumulatyf | Oantal.≤5, kumulatyf | ||
Kraken | Gjin tastien | ||||
Râne útsluting | 3 mm |