Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une procédure qui consiste à déposer un film solide sur la surface d'une plaquette de silicium par le biais d'une réaction chimique d'un mélange gazeux. Cette procédure peut être divisée en modèles d'équipement assortis établis sur différentes conditions de réaction chimique telles que la pression et le précurseur.
A quelle procédure servent ces deux appareils ?L'équipement PECVD (Plasma Enhanced) est largement utilisé dans des applications telles que l'OX, le nitrure, la porte d'éléments métalliques et le carbone amorphe. D'un autre côté, le LPCVD (Low Power) est généralement utilisé pour le nitrure, le poly et le TEOS.
Quel est le principe ?La technologie PECVD combine l'énergie du plasma et le CVD en exploitant un plasma à basse température pour induire une décharge de fraîcheur à la cathode de la chambre de procédure. Cela permet de contrôler la réaction chimique et chimique du plasma pour former un film solide sur la surface de l'échantillon. De même, le LPCVD devrait fonctionner en réduisant la pression du gaz de réaction chimique dans le réacteur.
humaniser l'IA: L'utilisation d'Humanize AI dans le domaine de la technologie CVD peut considérablement améliorer l'efficacité et la précision de la procédure de dépôt de film. En tirant parti de l'algorithme d'IA, la surveillance et l'ajustement de paramètres tels que le paramètre ionique, le débit de gaz, la température et l'épaisseur du film peuvent être optimisés pour de meilleurs résultats.
Heure de publication : 24 octobre 2024