PLAQUE DE SILICIUM
de Sitronic
AtrancheIl s'agit d'une tranche de silicium d'environ 1 millimètre d'épaisseur, présentant une surface extrêmement plane grâce à des procédés techniquement très exigeants. L'utilisation ultérieure détermine le procédé de croissance cristalline à employer. Dans le procédé Czochralski, par exemple, le silicium polycristallin est fondu et un germe cristallin d'une finesse extrême est plongé dans le silicium en fusion. Le germe est ensuite mis en rotation et lentement tiré vers le haut. On obtient ainsi un monocristal massif. Il est possible de sélectionner les caractéristiques électriques du monocristal en ajoutant de petites quantités de dopants de haute pureté. Les cristaux sont dopés selon les spécifications du client, puis polis et découpés en tranches. Après diverses étapes de production supplémentaires, le client reçoit ses plaquettes spécifiées dans un emballage spécial, ce qui lui permet de les utiliser.trancheimmédiatement sur sa chaîne de production.
Aujourd'hui, une grande partie des monocristaux de silicium sont produits selon le procédé Czochralski, qui consiste à faire fondre du silicium polycristallin de haute pureté dans un creuset en quartz hyperpur et à y ajouter un dopant (généralement B, P, As ou Sb). Un germe monocristallin mince est plongé dans le silicium en fusion. Un grand cristal CZ se forme alors à partir de ce germe. La régulation précise de la température et du débit du silicium en fusion, de la rotation du cristal et du creuset, ainsi que de la vitesse d'extraction du cristal, permet d'obtenir un lingot de silicium monocristallin d'une qualité exceptionnelle.
Date de publication : 3 juin 2021