Nouvelles

Deux pompes à vide électriques ont été expédiées en Amérique
par administrateur le 22-09-14

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Du feutre graphite a été expédié au Vietnam
par administrateur le 22-09-14

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Un revêtement SiC résistant à l'oxydation a été préparé sur une surface en graphite par procédé CVD
par administrateur le 22-09-14
Le revêtement SiC peut être préparé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), transformation de précurseur, pulvérisation au plasma, etc. Le revêtement préparé par dépôt chimique en phase vapeur est uniforme et compact et présente une bonne aptitude à la conception. Utilisation de méthyl trichlorosilane. (CHzSiCl3, MTS) comme source de silicium, préparation de revêtement SiC...
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Structure en carbure de silicium
par administrateur le 22-08-30
Trois principaux types de carbure de silicium polymorphe Il existe environ 250 formes cristallines de carbure de silicium. Étant donné que le carbure de silicium possède une série de polytypes homogènes avec une structure cristalline similaire, le carbure de silicium présente les caractéristiques d'un polycristallin homogène. Carbure de silicium (Mosanite)...
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État de la recherche sur le circuit intégré SiC
par administrateur le 22-08-23
Différent des dispositifs discrets S1C qui recherchent des caractéristiques de haute tension, haute puissance, haute fréquence et haute température, l'objectif de recherche du circuit intégré SiC est principalement d'obtenir un circuit numérique haute température pour le circuit de contrôle des circuits intégrés de puissance intelligents. En tant que circuit intégré SiC pour...
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Application des dispositifs SiC dans un environnement à haute température
par administrateur le 22-08-23
Dans les équipements aérospatiaux et automobiles, l’électronique fonctionne souvent à des températures élevées, comme les moteurs d’avions, les moteurs de voitures, les engins spatiaux en mission près du soleil et les équipements à haute température des satellites. Utilisez les appareils Si ou GaAs habituels, car ils ne fonctionnent pas à des températures très élevées, donc...
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Surface semi-conductrice de troisième génération - Dispositifs SiC (carbure de silicium) et leurs applications
par administrateur le 22-08-23
En tant que nouveau type de matériau semi-conducteur, le SiC est devenu le matériau semi-conducteur le plus important pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques à courte longueur d'onde, de dispositifs à haute température, de dispositifs à résistance aux rayonnements et de dispositifs électroniques haute puissance/haute puissance en raison de ses excellents propriétés physiques et physiques. .
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Utilisation de carbure de silicium
par administrateur le 22-08-23
Le carbure de silicium est également connu sous le nom de sable d'acier doré ou sable réfractaire. Le carbure de silicium est composé de sable de quartz, de coke de pétrole (ou de coke de charbon), de copeaux de bois (la production de carbure de silicium vert nécessite l'ajout de sel) et d'autres matières premières dans le four à résistance par fusion à haute température. À l'heure actuelle...
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Introduction à l’énergie hydrogène et aux piles à combustible
par administrateur le 22-08-23
Les piles à combustible peuvent être divisées en piles à combustible à membrane échangeuse de protons (PEMFC) et piles à combustible au méthanol direct en fonction des propriétés de l'électrolyte et du carburant utilisé (DMFC), pile à combustible à acide phosphorique (PAFC), pile à combustible à carbonate fondu (MCFC), combustible à oxyde solide. pile à combustible (SOFC), pile à combustible alcaline (AFC), etc....
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