Matériaux de croissance cristalline SiC de nouvelle génération

Avec la production en série progressive de substrats conducteurs en SiC, les exigences en matière de stabilité et de reproductibilité du procédé s'accroissent. En particulier, le contrôle des défauts est crucial, car le moindre ajustement ou la moindre dérive du champ thermique dans le four peut entraîner des modifications cristallines ou une augmentation des défauts. À terme, nous devrons relever le défi d'une croissance rapide, en longueur et en épaisseur. Outre l'amélioration des théories et des techniques, nous aurons également besoin de matériaux de support plus performants pour la gestion du champ thermique. L'utilisation de matériaux avancés permettra la croissance de cristaux de haute performance.

L'utilisation inappropriée de matériaux de creuset, tels que le graphite, le graphite poreux ou la poudre de carbure de tantale, dans un champ chaud, peut engendrer des défauts, notamment une augmentation des inclusions de carbone. De plus, dans certaines applications, la perméabilité du graphite poreux est insuffisante et il est nécessaire d'y ajouter des pores. Le graphite poreux à haute perméabilité présente des difficultés de mise en œuvre, d'élimination de la poudre, de gravure, etc.

VET présente une nouvelle génération de matériau à champ thermique pour la croissance de cristaux de SiC : le carbure de tantale poreux. Une première mondiale.

Le carbure de tantale possède une résistance et une dureté très élevées, et le rendre poreux représente un véritable défi. Produire un carbure de tantale poreux à la fois très poreux et d'une grande pureté constitue un enjeu majeur. Hengpu Technology a réalisé une avancée décisive en lançant un carbure de tantale poreux à très haute porosité, atteignant jusqu'à 75 %, une première mondiale.

Il est possible d'utiliser ce procédé pour la filtration des composants en phase gazeuse, le réglage du gradient de température local, la direction du flux de matière, le contrôle des fuites, etc. Il peut être associé à un autre composant en carbure de tantale solide (compact) ou à un revêtement en carbure de tantale de Hengpu Technology afin de créer des composants locaux présentant différentes conductivités.

Certains composants peuvent être réutilisés.

Revêtement en carbure de tantale (TaC) (2)


Date de publication : 14 juillet 2023
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