Dépôt chimique en phase vapeur(MCV)
Le CVD est une technologie traditionnelle de préparation de couches minces. Its principle is to use gaseous precursors to decompose certain components in the precursor through chemical reactions between atoms and molecules, and then form a thin film on the substrate. Les caractéristiques fondamentales de la MCV sont les suivantes : modifications chimiques (réactions chimiques ou décomposition thermique) ; tous les éléments du film proviennent de sources externes ; les réactifs doivent participer à la réaction sous forme de phase gazeuse.
Caractéristiques:
▪ Température du processus : généralement entre 500 et 900°C, la température du processus est relativement élevée ;
Principe : Utiliser le plasma pour activer des réactions en phase gazeuse à des températures plus basses, ioniser et décomposer les molécules dans le gaz de réaction, puis déposer des films minces sur la surface du substrat. The energy of plasma can greatly reduce the temperature required for the reaction, and has a wide range of applications. Various metal films, inorganic films and organic films can be prepared.
Caractéristiques:
▪ Température du processus : généralement entre 200 et 400°C, la température est relativement basse ;
▪ Uniformité : légèrement inférieure au LPCVD sur supports de grandes dimensions ;
▪ Vitesse de dépôt rapide, adaptée à une production efficace ;
▪ Le plasma peut introduire des défauts sur le film tels que des piqûres ou une non-uniformité ;
▪ Par rapport au LPCVD, la densité et la qualité du film sont légèrement moins bonnes.
3. HDP-CVD (CVD plasma haute densité)
Principe : Une technologie spéciale PECVD. HDP-CVD (also known as ICP-CVD) can produce higher plasma density and quality than traditional PECVD equipment at lower deposition temperatures. In addition, HDP-CVD provides almost independent ion flux and energy control, improving trench or hole filling capabilities for demanding film deposition, such as anti-reflective coatings, low dielectric constant material deposition, etc.
Caractéristiques:
▪ Température du processus : température ambiante jusqu'à 300℃, la température du processus est très basse ;
▪ Plage de pression du gaz : entre 1 et 100 mTorr, inférieure au PECVD ;
▪ Qualité du film : haute densité de plasma, haute qualité du film, bonne uniformité ;
▪ Uniformité : grâce au plasma haute densité, l'uniformité du film est excellente, adaptée aux surfaces de substrat de forme complexe ;
▪ Capable de déposer des films de haute qualité à des températures plus basses, très adaptés aux matériaux sensibles à la chaleur ;
▪ Excellente uniformité, densité et douceur de surface du film ;
▪ Une densité de plasma plus élevée améliore l'uniformité du dépôt et les propriétés du film ;
▪ Équipement compliqué et coût plus élevé ;
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Heure de publication : 03 décembre 2024