Epitaksiaalinen Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksiaalinen Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksiaalinen Epi Graphite Barrel Susceptoron erityisesti suunniteltu tuki- ja lämmityslaite, jota käytetään pitämään ja lämmittämään puolijohdesubstraatteja valmistusprosessien, kuten kerrostuksen tai epitaksiprosessien, aikana.

Sen rakenne on tyypillisesti lieriömäinen tai hieman tynnyrimäinen, pinnassa on useita taskuja tai tasoja kiekkojen sijoittamista varten, voi olla kiinteä tai ontto, riippuen kuumennustavasta.

Epitaksisen tynnyrin suskeptorin päätoiminnot:

-Substraatin tuki: pitää turvallisesti useita puolijohdekiekkoja;
-Lämmönlähde: tarjoaa korkeat lämpötilat, joita tarvitaan kasvuun lämmittämällä;
-Lämpötilan tasaisuus: varmistaa alustojen tasaisen kuumenemisen;
-Kierto: yleensä pyörii kasvun aikana lämpötilan ja kaasun jakautumisen tasaisuuden parantamiseksi.

Epi-grafiittitynnyrisuskeptorin toimintaperiaate:
- Epitaksiaalisessa reaktorissa tynnyrisuskeptori kuumennetaan vaadittuun lämpötilaan (tyypillisesti 1000℃-1200℃ piiepitaksia varten);
- Tynnyrisuskeptori pyörii tasaisen lämpötilan jakautumisen ja kaasun virtauksen varmistamiseksi;
-Reaktiokaasut hajoavat korkeissa lämpötiloissa muodostaen epitaksiaalisia kerroksia alustan pinnalle.

Sovellukset:
-Käytetään ensisijaisesti piin epitaksiaaliseen kasvuun
- Soveltuu myös muiden puolijohdemateriaalien, kuten GaAs, InP jne., epitaksiin.

VET Energy käyttää erittäin puhdasta grafiittia CVD-SiC-pinnoitteella parantaakseen kemiallista stabiilisuutta:

VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorin edut:

-Korkean lämpötilan vakaus;
-Hyvä lämmön tasaisuus;
-Voi käsitellä useita substraatteja samanaikaisesti, mikä parantaa tuotannon tehokkuutta;
-Kemiallisesti inertti, ylläpitää erittäin puhdasta kasvuympäristöä.